ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
使用推薦容值為 0.1μF 的低 ESR 陶瓷旁路電容器將 VM 引腳旁路至 GND 引腳。將該電容器放置在盡可能靠近 VM 引腳的位置，并通過較寬的跡線或接地平面連接到 GND 引腳。此外，使用額定電壓為 VM 的大容量電容器將 VM 引腳旁路掉。該元件可以是電解電容器。其容值必須至少為 10 μF。
需要額外的大容量電容來旁路掉外部 MOSFET 上的大電流路徑。放置此大容量電容時應(yīng)做到盡可能縮短通過外部 MOSFET 的大電流路徑的長度。連接金屬跡線應(yīng)盡可能寬，并具有許多連接 PCB 層的過孔。這些做法最大限度地減少了電感并允許大容量電容器提供大電流。
在 CPL 和 CPH 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。該電容器的容值應(yīng)為 47nF，額定電壓為 VDRAIN，類型為 X5R 或 X7R。此外，在 VCP 和 VDRAIN 引腳以及 VGLS 和 GND 之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。這些電容器的容值應(yīng)為 1μF，額定電壓為 16V，類型為 X5R 或 X7R。
使用一個容值為 1μF、額定電壓為 6.3V 且類型為 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷電容器將 DVDD 引腳旁路至 GND/DGND 引腳。將該電容器放置在盡可能靠近引腳的位置，并盡量縮短從電容器到 GND/DGND 引腳的路徑。
對于單電源應(yīng)用配置，VDRAIN 引腳可以直接短接到 VM 引腳。但是，如果器件和外部 MOSFET 之間的距離很大，請使用專用跡線連接到高側(cè)外部 MOSFET 的漏極公共點。 請勿將 SLx 引腳直接連接到 GND。而是應(yīng)該使用專用跡線將這些引腳連接到低側(cè)外部 MOSFET 的源極。遵循這些建議有助于更準確地感測外部 MOSFET 的 VDS 以實現(xiàn)過流檢測。
最大限度地縮短高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器的回路長度。高側(cè)環(huán)路是從器件的 GHx 引腳到高側(cè)功率 MOSFET 柵極，然后沿著高側(cè) MOSFET 源極返回到 SHx 引腳。低側(cè)環(huán)路是從器件的 GLx 引腳到低側(cè)功率 MOSFET 柵極，然后沿著低側(cè) MOSFET 源極返回到 SPx/SLx 引腳。