ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
在該模式下發(fā)生 SEN_OCP 事件后,所有外部 MOSFET 都被禁用,并且 nFAULT 引腳被驅(qū)動為低電平。FAULT、SEN_OCP 和相應的感測 OCP 位在 SPI 寄存器中被鎖存為高電平。在 tRETRY 時間過后,器件將自動繼續(xù)正常運行(柵極驅(qū)動器運行且釋放 nFAULT 引腳)。FAULT、SEN_OCP 和感測 OCP 位保持鎖存,直到 tRETRY 周期結(jié)束。