ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
-
8 詳細(xì)說(shuō)明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3
特性說(shuō)明
- 8.3.1 三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器
- 8.3.2 DVDD 線性穩(wěn)壓器
- 8.3.3 引腳圖
- 8.3.4 低側(cè)電流分流放大器 (DRV8353F)
- 8.3.5 柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路
- 8.4 器件功能模式
- 8.5 編程
- 8.6 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTV|32
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTV|32
訂購(gòu)信息
3 說(shuō)明
DRV835xF 系列器件均為高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于三相無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)應(yīng)用。這些器件型號(hào)提供了可選的集成式分流放大器以支持不同的電機(jī)控制方案。
DRV835xF 通過(guò)采用智能柵極驅(qū)動(dòng) (SGD) 架構(gòu)減少了 MOSFET 壓擺率控制和保護(hù)電路通常所需要的外部元件數(shù)量。SGD 架構(gòu)還可優(yōu)化死區(qū)時(shí)間以防止擊穿問(wèn)題，在通過(guò) MOSFET 壓擺率控制技術(shù)降低電磁干擾 (EMI) 方面帶來(lái)了靈活性，并可通過(guò) VGS 監(jiān)控器防止柵極短路問(wèn)題。強(qiáng)大的柵極下拉電路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生柵極開(kāi)啟事件。
該系列器件支持各種 PWM 控制模式（6x、3x、1x 和獨(dú)立模式），可簡(jiǎn)化與外部控制器的連接。這些模式可減少電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 PWM 控制信號(hào)所需的控制器輸出數(shù)量。該系列器件還包括 1x PWM 模式，因此可通過(guò)內(nèi)部阻塞換向表輕松對(duì) BLDC 電機(jī)進(jìn)行傳感器式梯形控制。
器件信息
| (1)器件型號(hào) | 封裝 | 封裝尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| DRV8350F | WQFN (32) | 5.00mm × 5.00mm |
| DRV8353F | WQFN (40) | 6.00mm × 6.00mm |
(1) 如需了解所有可用封裝，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。
簡(jiǎn)化版原理圖