ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
該示例的目標(biāo)是將 VDS 監(jiān)視器設(shè)置為在電流大于 75A 時跳變。根據(jù) CSD19535KCS 100V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表,RDS(on) 值在 175°C 時會提高 2.2 倍,最大 RDS(on) 值在 TA = 25°C 時在 10V VGS 下為 3.6mΩ。根據(jù)這些值,RDS(on) 的最壞情況近似值為 2.2 × 3.6mΩ = 7.92mΩ。
使用Equation13,并使 RDS(on) 的值為 7.92mΩ,最壞情況下的電機(jī)電流為 75A,Equation14 展示了計算得出的 VDS 過流監(jiān)視器的期望值。

在本例中,選擇 0.6V 作為 VDS_OCP 的值。
SPI 器件允許調(diào)整 VDS 過流監(jiān)視器的抗尖峰脈沖時間??梢詫⒖辜夥迕}沖時間設(shè)置為 1μs、2μs、4μs 或 8μs。