ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
IDRIVE 元件實現(xiàn)了可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動電流來控制 MOSFET VDS 壓擺率。MOSFET VDS 壓擺率是優(yōu)化輻射發(fā)射、二極管恢復(fù)尖峰的能量和持續(xù)時間、導(dǎo)致?lián)舸┑?dV/dt 柵極導(dǎo)通以及與外部半橋中寄生效應(yīng)相關(guān)的開關(guān)電壓瞬態(tài)的關(guān)鍵因素。IDRIVE 的工作原理是，MOSFET VDS 壓擺率主要取決于 MOSFET QGD 或米勒充電區(qū)域中提供的柵極電荷（或柵極電流）的速率。通過讓柵極驅(qū)動器調(diào)節(jié)柵極電流，可以有效地控制外部功率 MOSFET 的壓擺率。
IDRIVE 允許 DRV835xF 系列器件通過 SPI 器件上的寄存器設(shè)置或硬件接口器件上的 IDRIVE 引腳在柵極驅(qū)動電流之間動態(tài)切換。SPI 器件提供 16 種 IDRIVE 設(shè)置，范圍介于 50mA 至 1A 拉電流和 100mA 至 2A 灌電流之間。硬件接口器件提供 7 種介于相同范圍之間的 IDRIVE 設(shè)置。柵極驅(qū)動電流設(shè)置值在 tDRIVE 持續(xù)時間內(nèi)開啟和關(guān)閉外部功率 MOSFET 期間傳送到柵極。在 MOSFET 開啟或關(guān)閉后，柵極驅(qū)動器切換至較小的保持 IHOLD 電流，以提高柵極驅(qū)動器的效率。Topic Link Label8.6（對于 SPI 器件）和Topic Link Label8.3.3 （對于硬件接口器件）介紹了有關(guān) IDRIVE 設(shè)置的其他詳細(xì)信息。