ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
可以通過(guò)監(jiān)測(cè)外部 MOSFET RDS(on) 上的 VDS 電壓降來(lái)檢測(cè) MOSFET 過(guò)流事件。如果啟用的 MOSFET 上的電壓超過(guò) VVDS_OCP 閾值的時(shí)間長(zhǎng)于 tOCP_DEG 抗尖峰脈沖時(shí)間，則會(huì)識(shí)別出 VDS_OCP 事件并根據(jù) OCP_MODE 執(zhí)行操作。在硬件接口器件上，可以通過(guò) VDS 引腳設(shè)置 VVDS_OCP 閾值，tOCP_DEG 固定為 4μs，OCP_MODE 配置為 8ms 自動(dòng)重試，但可以通過(guò)將 VDS 引腳連接到 DVDD 將其禁用。在 SPI 器件上，可以通過(guò) VDS_LVL SPI 寄存器設(shè)置 VVDS_OCP 閾值，通過(guò) OCP_DEG SPI 寄存器設(shè)置 tOCP_DEG，而 OCP_MODE 位可以在四種不同的模式下運(yùn)行：VDS 鎖存關(guān)斷、VDS 自動(dòng)重試、VDS 僅報(bào)告以及 VDS 被禁用。
默認(rèn)情況下，MOSFET VDS 過(guò)流保護(hù)在逐周期 (CBC) 模式下運(yùn)行。可以通過(guò) SPI 寄存器在 SPI 器件型號(hào)上禁用該模式。在逐周期 (CBC) 模式下，PWM 輸入上的新上升沿將清除現(xiàn)有的過(guò)流故障。
此外，在 SPI 器件上，可以設(shè)置 OCP_ACT 寄存器設(shè)置值以更改鏈接和單獨(dú)關(guān)斷模式之間的 VDS_OCP 過(guò)流響應(yīng)。當(dāng) OCP_ACT 為 0 時(shí)，VDS_OCP 故障只會(huì)影響發(fā)生故障的半橋。當(dāng) OCP_ACT 為 1 時(shí)，全部三個(gè)半橋都將響應(yīng)任何其他半橋上的 VDS_OCP 故障。OCP_ACT 默認(rèn)為 0，單獨(dú)關(guān)斷模式。