ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
-
8 詳細(xì)說(shuō)明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3
特性說(shuō)明
- 8.3.1 三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器
- 8.3.2 DVDD 線性穩(wěn)壓器
- 8.3.3 引腳圖
- 8.3.4 低側(cè)電流分流放大器 (DRV8353F)
- 8.3.5 柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路
- 8.4 器件功能模式
- 8.5 編程
- 8.6 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTV|32
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTV|32
訂購(gòu)信息
9.2.1.2.2 IDRIVE 配置
柵極驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度 IDRIVE 的選擇依據(jù)包括：外部 MOSFET 的柵漏電荷以及輸出的目標(biāo)上升和下降時(shí)間。如果對(duì)于給定的 MOSFET 所選 IDRIVE 過(guò)低，則該 MOSFET 可能無(wú)法在 tDRIVE 時(shí)間內(nèi)完全導(dǎo)通，并且可以斷定出現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)故障。此外，較長(zhǎng)的上升和下降時(shí)間將導(dǎo)致更高的開(kāi)關(guān)功率損耗。TI 建議使用所需的外部 MOSFET 和電機(jī)在系統(tǒng)中調(diào)整這些值，以確定適用于任何應(yīng)用的適當(dāng)設(shè)置。
在 SPI 器件上，可以通過(guò) SPI 寄存器獨(dú)立調(diào)節(jié)低側(cè)和高側(cè) MOSFET 的 IDRIVEP 和 IDRIVEN 電流。在硬件接口器件上，同時(shí)在 IDRIVE 引腳上選擇拉電流和灌電流設(shè)置值。
對(duì)于具有已知柵漏電荷 Qgd、所需上升時(shí)間 (tr) 和所需下降時(shí)間 (tf) 的 MOSFET，可使用Equation7 和Equation8 分別計(jì)算 IDRIVEP 和 IDRIVEN 的值。
Equation7. 
Equation8. 