ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
在該應(yīng)用示例中，器件配置為單電源運(yùn)行。該配置只需要一個(gè)電源為 DRV835xF 供電，但會(huì)以增加內(nèi)部功率耗散為代價(jià)。下面的示例估算了結(jié)溫。
可以使用Equation5 來計(jì)算 MOSFET 柵極電荷為 78nC、全部 3 個(gè)高側(cè)和 3 個(gè)低側(cè) MOSFET 都進(jìn)行開關(guān)以及開關(guān)頻率為 45kHz 時(shí)的 IVCP 和 IVGLS 值。
可以使用Equation20、Equation21、Equation22 和Equation23 來計(jì)算 VVM = VVDRAIN = VVIN = 48V、IVM = 9.5mA、IVCP = 10.5mA 以及 IVGLS = 10.5mA 時(shí)的 Ptot 值。
最后，若要估算工作期間的器件結(jié)溫，請使用Equation24 來計(jì)算 TAmax = 60°C、RθJA = 26.1°C/W（RTA 封裝）以及 Ptot = 2.054W 時(shí)的 TJmax 值。再次請注意，RθJA 高度依賴于實(shí)際應(yīng)用中使用的 PCB 設(shè)計(jì)，應(yīng)對其進(jìn)行驗(yàn)證。有關(guān)新舊熱指標(biāo)的更多信息，請參閱《半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo)》 應(yīng)用報(bào)告。
如本例所示，該器件處于其運(yùn)行限制范圍內(nèi)，但幾乎在其最大工作結(jié)溫下運(yùn)行。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意單電源配置，以正確管理器件的功率耗散。