ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
在該模式下發(fā)生 VDS_OCP 事件后,所有外部 MOSFET 都被禁用,并且 nFAULT 引腳被驅(qū)動(dòng)為低電平。FAULT、VDS_OCP 和相應(yīng)的 MOSFET OCP 位在 SPI 寄存器中被鎖存為高電平。在 tRETRY 時(shí)間過(guò)后,器件將自動(dòng)繼續(xù)正常運(yùn)行(柵極驅(qū)動(dòng)器運(yùn)行且釋放 nFAULT 引腳)。FAULT、VDS_OCP 和 MOSFET OCP 位保持鎖存,直到 tRETRY 周期結(jié)束。