ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
在該模式下發(fā)生 VDS_OCP 事件后,所有外部 MOSFET 都被禁用,并且 nFAULT 引腳被驅(qū)動為低電平。FAULT、VDS_OCP 和相應(yīng)的 MOSFET OCP 位在 SPI 寄存器中被鎖存為高電平。VDS_OCP 條件消失并通過 CLR_FLT 位或 ENABLE 復(fù)位脈沖 (tRST) 發(fā)出清除故障命令后,器件將繼續(xù)正常運行(柵極驅(qū)動器運行且釋放 nFAULT 引腳)。