ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
在此應(yīng)用示例中，該器件配置為雙電源操作模式。雙電源操作通過(guò)為柵極驅(qū)動(dòng)器提供較低的電源電壓來(lái)幫助降低內(nèi)部功率耗散。這可以來(lái)自?xún)?nèi)部降壓穩(wěn)壓器或外部電源。下面的示例估算了結(jié)溫。
可以使用Equation5 來(lái)計(jì)算 MOSFET 柵極電荷為 78nC、一次開(kāi)關(guān) 1 個(gè)高側(cè)和 1 個(gè)低側(cè) MOSFET 以及開(kāi)關(guān)頻率為 20kHz 時(shí)的 IVCP 和 IVGLS 值。
可以使用Equation36、Equation37、Equation38 和Equation39 來(lái)計(jì)算 VVM = 12V、VVDRAIN = 48V、VVIN = 48V、IVM = 9.5mA、IVCP = 1.56mA 以及 IVGLS = 1.56mA 時(shí)的 Ptot 值。
最后，若要估算工作期間的器件結(jié)溫，請(qǐng)使用Equation40 來(lái)計(jì)算 TAmax = 105°C、RθJA = 26.1°C/W（RGZ 封裝）以及 Ptot = 0.22W 時(shí)的 TJmax 值。再次請(qǐng)注意，RθJA 高度依賴(lài)于實(shí)際應(yīng)用中使用的 PCB 設(shè)計(jì)，應(yīng)對(duì)其進(jìn)行驗(yàn)證。更多有關(guān)新舊熱指標(biāo)的信息，請(qǐng)參閱半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo) 應(yīng)用報(bào)告。