ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
在發(fā)生 MOSFET VDS 或 VSENSE 過流故障的情況下,驅(qū)動器使用特殊的關(guān)斷序列來保護(hù)驅(qū)動器和 MOSFET 免受大電壓開關(guān)瞬態(tài)的影響。當(dāng)存在大漏源電流(例如在過流事件期間)時,如果快速關(guān)閉外部 MOSFET,則會產(chǎn)生這些大電壓瞬變現(xiàn)象。
為緩解該問題,DRV835xF 系列器件在響應(yīng)故障事件而關(guān)閉 MOSFET 期間會減小高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器的 IDRIVEN 下拉電流設(shè)置值。如果編程設(shè)定的 IDRIVEN 值小于 1100mA,則將 IDRIVEN 值設(shè)置為最小 IDRIVEN 設(shè)置值。如果編程的 IDRIVEN 值大于或等于 1100mA,則 IDRIVEN 值會減小七個代碼設(shè)置值。