ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
DRV8353F SPI 器件上的電流感測放大器可以配置為放大外部低側(cè) MOSFET VDS上的電壓。這允許外部控制器在沒有分流電阻器的情況下測量 MOSFET RDS(on) 兩端的電壓降,然后計算半橋電流電平。
若要啟用該模式,請將 CSA_FET 位設(shè)置為 1。然后,放大器的正輸入通過內(nèi)部鉗位在內(nèi)部連接到 SHx 引腳,以防止 SHx 引腳上的高電壓損壞感測放大器輸入。在該運(yùn)行模式下,SPx 引腳應(yīng)保持連接到低側(cè) MOSFET 的源極,因?yàn)樗米鞯蛡?cè)柵極驅(qū)動器的基準(zhǔn)。當(dāng) CSA_FET 位設(shè)置為 1 時,低側(cè) VDS 監(jiān)視器的負(fù)基準(zhǔn)自動設(shè)置為 SNx,不受 LS_REF 位狀態(tài)的影響。實(shí)現(xiàn)此設(shè)置是為了防止禁用低側(cè) VDS 監(jiān)視器。
如果系統(tǒng)在 MOSFET VDS 感測模式下運(yùn)行,則使用開爾文接法將 SHx 和 SNx 引腳連接到外部低側(cè) MOSFET 的漏極和源極。
圖 8-31 電阻器感測配置
圖 8-32 VDS 感測配置在 MOSFET VDS 感測模式下運(yùn)行時,放大器在 tDRIVE 時間結(jié)束時啟用。此時,放大器輸出連接到 SHx 引腳,SOx 輸出有效。當(dāng)?shù)蛡?cè) MOSFET 接收到關(guān)閉信號時,放大器輸入 SPx 和 SNx 在內(nèi)部短接在一起。