可以按以下順序逐字讀取 EEPROM 的內(nèi)容，從請求的地址開始。此序列可用于在上一個成功編程周期后驗證 EEPROM 內(nèi)容。
- 在 R159（MEMADR 字節(jié) 1）中寫入 EEPROM 地址的五個最高有效位，并在 R160（MEMADR 字節(jié) 0）中寫入 EEPROM 地址的八個最低有效位。
- 讀取 R161（NVMDAT 字節(jié)）以從同一個寄存器事務(wù)中的上一步所指定的地址提取 EEPROM 數(shù)據(jù)字節(jié)。
- 同一個事務(wù)中的任何額外讀取傳輸都會導(dǎo)致 EEPROM 地址指針自動遞增，接下來會讀取下一個地址的數(shù)據(jù)。
- 從 R161 傳輸?shù)淖止?jié)或塊讀取可用于從字節(jié) 0 至 252 按順序讀取整個 EEPROM 映射。
- 對 EEPROM 的訪問在當(dāng)前寄存器事務(wù)結(jié)束時終止。