如果將不同的器件配置存儲(chǔ)到 EEPROM 中，而不需要中斷器件的當(dāng)前運(yùn)行狀態(tài)，則可以使用此 SRAM 直接寫入方法。這種方法要求已經(jīng)生成 SRAM/EEPROM 映射數(shù)據(jù)，并可由 TICS Pro 導(dǎo)出。
可通過以下序列直接寫入 SRAM，無需修改活動(dòng)配置寄存器：
- 將 SRAM 地址的五個(gè)最高有效位寫入到 R159（MEMADR 字節(jié) 1），并將 SRAM 地址的八個(gè)最低有效位寫入到 R160（MEMADR 字節(jié) 0）。
- 在同一個(gè)寄存器事務(wù)中，針對(duì)前一步中指定的地址將 SRAM 數(shù)據(jù)字節(jié)寫入 R162（RAMDAT 字節(jié)）。
- 同一個(gè)事務(wù)中任何額外的寫入（或讀?。﹤鬏敹紩?huì)導(dǎo)致 SRAM 地址指針自動(dòng)遞增，并且后續(xù)的寫入（或讀?。?huì)發(fā)生在下一個(gè) SRAM 地址。
- 寫入傳輸?shù)?R162 的字節(jié)或塊可用于從字節(jié) 0 至 252 按順序?qū)懭胝麄€(gè) SRAM 映射。
- 不得修改或覆蓋字節(jié) 253 至 255，這些字節(jié)應(yīng)保留，僅供 TI 內(nèi)部使用。
- 或者，在每次寫入到 R162 之前顯式寫入 R159 和 R160 以設(shè)置存儲(chǔ)器地址指針是有效的。
- 對(duì) SRAM 的訪問在當(dāng)前寫入事務(wù)結(jié)束時(shí)終止。
- 請(qǐng)注意，讀取 RAMDAT 寄存器也會(huì)使存儲(chǔ)器地址指針自動(dòng)遞增。