可以按以下順序逐字讀取 EEPROM 的內(nèi)容,從請(qǐng)求的地址開始。此序列可用于在上一個(gè)成功編程周期后驗(yàn)證 EEPROM 內(nèi)容。
- 在 R159(MEMADR 字節(jié) 1)中寫入 EEPROM 地址的五個(gè)最高有效位,并在 R160(MEMADR 字節(jié) 0)中寫入 EEPROM 地址的八個(gè)最低有效位。
- 讀取 R161(NVMDAT 字節(jié))以從同一個(gè)寄存器事務(wù)中的上一步所指定的地址提取 EEPROM 數(shù)據(jù)字節(jié)。
- 同一個(gè)事務(wù)中的任何額外讀取傳輸都會(huì)導(dǎo)致 EEPROM 地址指針自動(dòng)遞增,接下來會(huì)讀取下一個(gè)地址的數(shù)據(jù)。
- 從 R161 傳輸?shù)淖止?jié)或塊讀取可用于從字節(jié) 0 至 252 按順序讀取整個(gè) EEPROM 映射。
- 對(duì) EEPROM 的訪問在當(dāng)前寄存器事務(wù)結(jié)束時(shí)終止。