ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
DRV8000-Q1 采用先進(jìn)的可調(diào)節(jié)浮動智能柵極驅(qū)動器架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)出色的 MOSFET 控制和強(qiáng)大的開關(guān)性能。智能柵極驅(qū)動器架構(gòu)提供用于壓擺率控制的驅(qū)動器功能，并具有驅(qū)動器狀態(tài)機(jī)，可用于死區(qū)時間握手，dV/dt 柵極寄生耦合預(yù)防和 MOSFET 柵極故障檢測。
提供高級自適應(yīng)驅(qū)動功能，以降低傳播延遲，減少占空比失真和閉環(huán)可編程壓擺時間。高級智能柵極驅(qū)動器功能可用于任何橋模式，每次只能用于一個半橋。高級功能不會干擾柵極驅(qū)動器的標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)行，并可根據(jù)系統(tǒng)要求使用。
以下總結(jié)了智能柵極驅(qū)動架構(gòu)的不同功能，并在后續(xù)部分提供了更多詳細(xì)信息。
智能柵極驅(qū)動器核心功能：
| 核心功能 | 術(shù)語 | 說明 |
|---|---|---|
| IDRIVE/TDRIVE | IDRVP | 用于可調(diào) MOSFET 壓擺率控制的可編程柵極驅(qū)動拉電流。使用 IDRVP_x 控制寄存器進(jìn)行配置。 |
| IDRVN | 用于可調(diào) MOSFET 壓擺率控制的可編程柵極驅(qū)動灌電流。使用 IDRVN_x 控制寄存器進(jìn)行配置。 | |
| IHOLD | 非開關(guān)期間的固定柵極驅(qū)動器保持上拉電流。 | |
| ISTRONG | 非開關(guān)期間的固定柵極驅(qū)動器強(qiáng)下拉電流。這包括半橋中相反方向的 MOSFET 正在開關(guān)或 Hi-Z 時的情況。 | |
| tDRIVE | IHOLD 或 ISTRONG 之前的 IDRVP/N 驅(qū)動電流持續(xù)時間。還提供 VGS 和 VDS 故障監(jiān)控消隱周期。使用 VGS_TDRV 控制寄存器進(jìn)行配置。 | |
| tPD | 從邏輯控制信號到柵極驅(qū)動器輸出變化的傳播延遲。 | |
| tDEAD | 高側(cè)和低側(cè)開關(guān)轉(zhuǎn)換之間的體二極管導(dǎo)通周期。使用 VGS_TDEAD 控制寄存器進(jìn)行配置。 | |
| PDR （預(yù)充電） |
ICHR_INIT | 充電控制環(huán)路的柵極驅(qū)動拉電流初始值。使用 PRE_CHR_INIT 控制寄存器進(jìn)行配置。 |
| IPRE_CHR | 控制環(huán)路鎖定后預(yù)充電期間的柵極驅(qū)動拉電流。使用 KP_PDR 控制寄存器進(jìn)行配置的調(diào)整率。使用 PRE_MAX 控制寄存器配置的最大電流鉗位。 | |
| tPRE_CHR | 柵極驅(qū)動拉電流預(yù)充電期間持續(xù)時間。使用 T_PRE_CHR 控制寄存器進(jìn)行配置。 | |
| tDON | 從預(yù)充電期間開始到 VSH 上升超過 VSH_L 閾值的延遲時間。使用 T_DON_DOFF 控制寄存器進(jìn)行配置。 | |
| IDCHR_INIT | 放電期間控制環(huán)路的柵極驅(qū)動灌電流初始值。使用 PRE_DCHR_INIT 控制寄存器進(jìn)行配置。 | |
| IPRE_DCHR | 控制環(huán)路鎖定后預(yù)放電期間的柵極驅(qū)動灌電流。使用 KP_PDR 控制寄存器進(jìn)行配置的調(diào)整率。使用 PRE_MAX 控制寄存器配置的最大電流鉗位。 | |
| tPRE_DCHR | 柵極驅(qū)動灌電流預(yù)放電周期持續(xù)時間。使用 T_PRE_DCHR 控制寄存器進(jìn)行配置。 | |
| tDOFF | 從預(yù)放電周期開始到 VSH 下降超過 VSH_H 閾值的延遲時間。使用 T_DON_DOFF 控制寄存器進(jìn)行配置。 | |
| VSH_L | VSH 開關(guān)節(jié)點(diǎn)的低電壓閾值。使用 AGD_THR 控制寄存器進(jìn)行配置。 | |
| VSH_H | VSH 開關(guān)節(jié)點(diǎn)的高電壓閾值。使用 AGD_THR 控制寄存器進(jìn)行配置。 | |
| PDR （后充電） |
IPST_CHR | 后充電期間的柵極驅(qū)動拉電流。使用 KP_PST 控制寄存器配置調(diào)整速率。 |
| tPST_CHR | 柵極驅(qū)動拉電流后充電周期持續(xù)時間。 | |
| IPST_DCHR | 后放電期間的柵極驅(qū)動灌電流。使用 KP_PST 控制寄存器配置調(diào)整速率。 | |
| tPST_DCHR | 柵極驅(qū)動拉電流后充電周期持續(xù)時間。 | |
| IFW_CHR | 續(xù)流充電電流。使用 FW_MAX 控制寄存器進(jìn)行配置。 | |
| IFW_DCHR | 續(xù)流放電電流。使用 FW_MAX 控制寄存器進(jìn)行配置。 | |
| STC | tRISE | VSHx 從 VSHx_L 超過 VSHx_H 閾值的持續(xù)時間。使用 T_RISE_FALL 控制寄存器進(jìn)行配置。 |
| tFALL | VSHx 從 VSHx_H 超過 VSHx_L 閾值的持續(xù)時間。使用 T_RISE_FALL 控制寄存器進(jìn)行配置。 |