ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
外部 MOSFET 的高側(cè)柵極驅(qū)動電壓是使用三倍器（雙極）電荷泵產(chǎn)生的，而該電荷泵采用 PVDD 電壓電源輸入端運行。該電荷泵使高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器能夠在寬輸入電源電壓范圍內(nèi)相對于源極電壓適當(dāng)?shù)仄猛獠?N 溝道 MOSFET。電荷泵輸出會進行調(diào)節(jié) (VVCP)，以相對于 VPVDD 保持固定電壓。電荷泵會受到持續(xù)監(jiān)測以確定是否發(fā)生欠壓 (VCP_UV) 事件，從而防止 MOSFET 出現(xiàn)驅(qū)動不足或短路情況。
電荷泵提供多個配置選項。默認情況下，在 PVDD 引腳電壓超過 VCP_SO 閾值后，電荷泵可在三倍器（雙級）模式和倍頻器（單級）模式之間自動切換，以降低功率耗散。也可以通過 SPI 寄存器設(shè)置 CP_MODE 將電荷泵配置為始終保持三倍器或倍頻器模式。
電荷泵需要在 PVDD 和 VCP 引腳之間放置一個低 ESR、1μF、16V 陶瓷電容器（推薦使用 X7R）作為儲能電容器。此外，還需要在 CP1H 至 CP1L 和 CP2H 至 CP2L 引腳之間放置一個低 ESR、100nF、PVDD 額定的陶瓷電容器（推薦使用 X7R）作為飛跨電容器。
由于電荷泵會被調(diào)節(jié)至 PVDD 引腳，因此驗證 PVDD 引腳和 MOSFET 電源之間的電壓差被限制為允許在開關(guān)操作期間外部 MOSFET 實現(xiàn)適當(dāng) VGS 的閾值。