ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
電致變色驅(qū)動(dòng)器模塊具有多個(gè)針對(duì)充電和放電狀態(tài)的保護(hù)和檢測(cè)電路。這些電路包括基于比較器的檢測(cè)電路、在 EC 充電狀態(tài)期間激活的 OUT11 保護(hù)電路（當(dāng)采用 OUT11 供電配置時(shí)）以及 ECFB 低側(cè)放電 MOSFET 上的保護(hù)電路。
EC 由 OUT11 供電：當(dāng)電致變色驅(qū)動(dòng)器配置為由集成式高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 OUT11 供電時(shí)，可提供與其他高側(cè)驅(qū)動(dòng)器相同的保護(hù)和診斷功能（例如，在過(guò)流檢測(cè)期間，控制環(huán)路會(huì)關(guān)閉）。當(dāng)電子鉻處于充電狀態(tài)（電壓斜升）時(shí)，這些高側(cè)驅(qū)動(dòng)器保護(hù)被激活。當(dāng)處于 OUT11 EC 模式 (OUT11_EC_MODE = 1b) 時(shí)，無(wú)法在 PWM 模式下控制 OUT11，并且 EC_CNFG 用于配置診斷。對(duì)于 EC_OUT11_OCP_DG，當(dāng) VPVDD < 20V 時(shí)，抗尖峰脈沖選項(xiàng)（6μs、10μs、15μs 和 60μs）可用。當(dāng) VPVDD > 20V 時(shí)，抗尖峰脈沖時(shí)間自動(dòng)減少到 10μs。
EC 充電期間 OUT11 上發(fā)生故障：如果在 EC_ON = 1b（使能 EC 控制）時(shí) OUT11 上發(fā)生過(guò)熱關(guān)斷故障（區(qū)域 3 或 4）或過(guò)流故障：
要在 OUT11 故障后重啟 EC 控制，控制器必須讀取并清除相應(yīng)的故障。發(fā)生重新啟動(dòng)時(shí)，驅(qū)動(dòng)器恢復(fù)為 EC_V_TAR 的先前值。
如果在 EC 充電期間檢測(cè)到 OUT11 上存在開(kāi)路負(fù)載，則寄存器 HS_STAT 中的 OUT11_OLA 位置位。
放電過(guò)流保護(hù) LS FET：在 ECFB 通過(guò)低側(cè) FET (LSFET) 放電期間，如果 ECFB 引腳上的負(fù)載電流超過(guò)過(guò)流閾值 (IOC_ECFB)，則會(huì)檢測(cè)到過(guò)流故障。過(guò)流故障響應(yīng)可通過(guò)寄存器 EC_CNFG 中的 EC_FLT_MODE 位進(jìn)行配置。
EC_FLT_MODE = 0b：
如果流經(jīng) EC LSFET 的電流在抗尖峰脈沖時(shí)間后超過(guò) OCP 閾值 (IOC_ECFB)，則 LSFET 被禁用。EC LSFET 的抗尖峰脈沖時(shí)間取決于 VPVDD。當(dāng) VPVDD < 20V 時(shí)，抗尖峰脈沖時(shí)間為 40μs。當(dāng) VPVDD > 20V 時(shí)，抗尖峰脈沖時(shí)間自動(dòng)減少至 15μs。
EC_FLT_MODE = 1b：
如果在消隱時(shí)間后流經(jīng) EC LSFET 的電流超過(guò) OCP 閾值 (IOC_ECFB) 的時(shí)間達(dá)到抗尖峰脈沖時(shí)間，則驅(qū)動(dòng)器會(huì)進(jìn)入過(guò)流恢復(fù)模式 (OCR)，類似于 HS 驅(qū)動(dòng)器 OUT7-12 的 ITRIP 調(diào)節(jié)?？辜夥迕}沖時(shí)間和 ITRIP 頻率取自 OUT7 ITRIP 設(shè)置。
當(dāng) OCR 模式啟用并且 ECFB_OV 位由于 ECFB 與 VPVDD 之間短路而為高電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)器將關(guān)斷。無(wú)論 ECFB_OV_DG 配置設(shè)置如何，ECFB_OV 抗尖峰脈沖時(shí)間都為 20μs。
| EC_FLT_MODE | 故障響應(yīng) |
|---|---|
| 0b | 鎖存 (Hi-Z) |
| 1b | 過(guò)流恢復(fù)（OUT7 ITRIP 設(shè)置） |
檢測(cè)到放電開(kāi)路負(fù)載：在對(duì) EC 放電時(shí)，還可以檢測(cè)到開(kāi)路負(fù)載。寄存器 EC_CNFG 中的 EC_OLEN 位必須置位。如果 ECFB 上的負(fù)載電流低于 IOL_ECFB_LS 的持續(xù)時(shí)間超過(guò) tDG_OL_ECFB_LS，則開(kāi)路負(fù)載狀態(tài)位 ECFB_OL 會(huì)置位，且寄存器 IC_STAT1 中的 WARN 位會(huì)置位。
電池短路/OV 檢測(cè)：
在 EC_ON = 1 的情況下 ECFB 電壓超過(guò)閾值 VECFB_OV_TH 的持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于抗尖峰脈沖時(shí)間 tECFB_OV_DG 時(shí)，檢測(cè)到 ECFB 過(guò)壓或電池短路。ECFB_OV_MODE 位決定了驅(qū)動(dòng)器 ECFB 過(guò)壓故障響應(yīng)。EC 過(guò)壓抗尖峰脈沖時(shí)間通過(guò)寄存器 EC_CNFG 中的 ECFB_OV_DG 位進(jìn)行配置。
對(duì)于過(guò)壓故障響應(yīng)控制，可在寄存器 EC_CNFG 中配置 ECFB_OV_MODE 位。如果 ECFB_OV_MODE = 00b，則在該故障期間不會(huì)執(zhí)行任何操作。對(duì)于 ECFB_OV_MODE = 01b，如果 ECFB 電壓超過(guò) 3V 的時(shí)間長(zhǎng)于編程的抗尖峰脈沖時(shí)間 tECFB_OV_DG，則會(huì)設(shè)置 EC_HEAT_ITRIP_STAT 寄存器中的 ECFB_OV 位，并設(shè)置寄存器 IC_STAT1 中的 EC_HEAT 故障位。對(duì)于 ECFB_OV_MODE = 10b，當(dāng) ECFB 上發(fā)生 OV 時(shí)，ECDRV 引腳會(huì)被下拉，并且 ECFB LS FET 為 Hi-Z。故障在與 ECFB_OV_MODE = 01b 時(shí)相同的寄存器中報(bào)告。
下表匯總了故障響應(yīng)和位值：
| ECFB_OV_MODE | 故障響應(yīng) |
|---|---|
| 00b | 無(wú)操作 |
| 01b | 在寄存器中報(bào)告故障 |
| 10b | 將 ECDRV 和 ECFB LS FET 下拉，在寄存器中報(bào)告故障 |
| 11b | 無(wú)操作 |
| ECFB_OV_DG | 抗尖峰脈沖時(shí)間 |
|---|---|
| 00b | 20μs |
| 01b | 50μs |
| 10b | 100μs |
| 11b | 200μs |
短路和開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)：EC 診斷功能可配置為報(bào)告短路或開(kāi)路負(fù)載。通過(guò)設(shè)置 EC_CNFG 寄存器中的 ECFB_DIAG 位來(lái)選擇該模式，并且要求 EC_ON 位必須為 0b。
| ECFB_DIAG | 檢測(cè)設(shè)置 |
|---|---|
| 00b | 禁用 |
| 01b | 短路 |
| 10b | 開(kāi)路負(fù)載 |
短路檢測(cè)：短路檢測(cè)可以檢測(cè) ECFB 與 GND 之間的低阻抗條件。ECFB_SC_RSEL 位從 0.5Ω 到 3Ω 的范圍中選擇檢測(cè)到短路的阻抗。比較電壓 VECFB_SC_TH 與 IECFB_SC * ECFB_SC_RSEL。當(dāng) EC 放大器關(guān)閉、ECFB_DIAG = 01b 且 EC_ON = 0b 時(shí)，以下短路檢測(cè)運(yùn)行：
| ECFB_SC_RSEL | 阻抗閾值 |
|---|---|
| 00b | 0.5Ω |
| 01b | 1.0Ω |
| 10b | 2.0Ω |
| 11b | 3.0Ω |
開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)：當(dāng) ECFB_DIAG = 10b、EC_ON = 0b 且 EC 放大器關(guān)閉時(shí)，無(wú)源開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)激活。當(dāng)輸出阻抗大于 4kΩ 時(shí)，會(huì)檢測(cè)到開(kāi)路負(fù)載，從而導(dǎo)致出現(xiàn) ECFB 電壓閾值 IECFB_OLP * 4kΩ，即 VECFB_OLP_TH。開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)的程序如下：