ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 外部組件
- 7.4
特性說明
- 7.4.1 加熱器 MOSFET 驅(qū)動器
- 7.4.2 高側(cè)驅(qū)動器
- 7.4.3 電致變色玻璃驅(qū)動器
- 7.4.4 半橋驅(qū)動器
- 7.4.5
柵極驅(qū)動器
- 7.4.5.1 輸入 PWM 模式
- 7.4.5.2
智能柵極驅(qū)動器 - 功能方框圖
- 7.4.5.2.1 智能柵極驅(qū)動器
- 7.4.5.2.2 功能方框圖
- 7.4.5.2.3 壓擺率控制 (IDRIVE)
- 7.4.5.2.4 柵極驅(qū)動器狀態(tài)機(jī) (TDRIVE)
- 7.4.5.2.5 傳播延遲降低 (PDR)
- 7.4.5.2.6 PDR 預(yù)充電/預(yù)放電控制環(huán)路運(yùn)行詳細(xì)信息
- 7.4.5.2.7 PDR 后充電/后放電控制環(huán)路運(yùn)行詳細(xì)信息
- 7.4.5.2.8 檢測驅(qū)動和續(xù)流 MOSFET
- 7.4.5.2.9 自動占空比補(bǔ)償 (DCC)
- 7.4.5.2.10 閉環(huán)壓擺時(shí)間控制 (STC)
- 7.4.5.3 三倍器（雙極）電荷泵
- 7.4.5.4 寬共模差分電流分流放大器
- 7.4.5.5 柵極驅(qū)動器保護(hù)電路
- 7.4.6 檢測輸出 (IPROPI)
- 7.4.7 保護(hù)電路
- 7.5 編程
- 8 DRV8000-Q1 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11預(yù)量產(chǎn)版修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
訂購信息
7.4.4.5.3 半橋過流保護(hù)
當(dāng)半橋處于激活狀態(tài)時(shí)，每個 MOSFET 上的模擬電流保護(hù)電路會在硬短路事件期間關(guān)斷 MOSFET。如果輸出電流超過過流閾值 IOCP_OUTX 且持續(xù)時(shí)間超過 tDG_OCP_HB，則會檢測到過流故障。相應(yīng)的輸出為 Hi-Z（鎖存行為），故障被鎖存到寄存器 (HB_STAT1) 中。如果 VPVDD > 在 PVDD_OV_MODE 中配置的 VPVDD_OV，則會禁用半橋。
對于半橋驅(qū)動器的過流抗尖峰脈沖時(shí)間 tDG_OCP_HB，下表匯總了四個過流抗尖峰脈沖選項(xiàng)。
表 7-35 半橋過流抗尖峰脈沖
| OUTx_OCP_DG | 電壓限值 | 抗尖峰脈沖時(shí)間 |
|---|---|---|
| 00b | VPVDD < VPVDD_OV | 6μs |
| 01b | VPVDD < VPVDD_OV | 10μs |
| 10b | VPVDD < VPVDD_OV | 15 μs |
| 11b | VPVDD < 20V | 60μs |
| VPVDD > 20V | 15 μs |
要重新激活驅(qū)動器，必須首先由 MCU 通過讀取狀態(tài)寄存器在寄存器中清除故障。下圖顯示了半橋的過流行為：
圖 7-16 半橋的過流行為