ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
默認(rèn)情況下,PDR 環(huán)路通過(guò)確定流出半橋的電流極性,自動(dòng)檢測(cè)哪個(gè) MOSFET 是驅(qū)動(dòng) MOSFET、哪個(gè) MOSFET 是續(xù)流 MOSFET。這通過(guò)測(cè)量死區(qū)時(shí)間期間的半橋 VSHx 電壓來(lái)實(shí)現(xiàn),從而確定高側(cè)還是低側(cè)體二極管導(dǎo)通。如果無(wú)法確定電流極性,則會(huì)在 GD_STAT 寄存器中標(biāo)記 IDIR_WARN。自動(dòng)續(xù)流檢測(cè)可以通過(guò)寄存器 GD_AGD_CNFG 中的 IDIR_MAN 位禁用。在手動(dòng)續(xù)流模式下,PDR 環(huán)路依靠寄存器 GD_STC_CNFG 中的 IDIR_MAN_SEL 位來(lái)確定哪個(gè) MOSFET 是驅(qū)動(dòng) MOSFET、哪個(gè) MOSFET 是續(xù)流 MOSFET。如果 = 0b,則高側(cè) MOSFET 是驅(qū)動(dòng) MOSFET,低側(cè) MOSFET 是續(xù)流 MOSFET。如果 = 1b、則低側(cè) MOSFET 是驅(qū)動(dòng) MOSFET,高側(cè) MOSFET 是續(xù)流 MOSFET。
HS 驅(qū)動(dòng) PWM 導(dǎo)通/關(guān)斷示例 顯示了控制 VSHx 開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓轉(zhuǎn)換的高側(cè) MOSFET (HS1) 和充當(dāng)續(xù)流 MOSFET 的低側(cè) MOSFET (LS1)。
圖 7-26 HS 驅(qū)動(dòng) PWM 導(dǎo)通/關(guān)斷示例LS 驅(qū)動(dòng) PWM 導(dǎo)通/關(guān)斷示例 顯示了控制 VSHx 開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓轉(zhuǎn)換的低側(cè) MOSFET (LS2) 和充當(dāng)續(xù)流 MOSFET 的高側(cè) MOSFET (HS2)。
圖 7-27 LS 驅(qū)動(dòng) PWM 導(dǎo)通/關(guān)斷示例