ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
半橋驅(qū)動(dòng)器可以在兩種模式下進(jìn)行控制，以支持通過(guò) PWM 輸入引腳或 SPI 寄存器控制的控制方案。半橋驅(qū)動(dòng)器還具有配置寄存器（HB_OUT_CNFG1 和 HB_OUT_CNFG2），用于使能半橋控制并設(shè)置控制模式（PWM 或 SPI）。
半橋可配置為由來(lái)自 PWM1 或 IPROPI/PWM2 引腳的輸入信號(hào)進(jìn)行控制。輸入到 PWM1 引腳的信號(hào)可以在內(nèi)部多路復(fù)用到半橋、高側(cè)驅(qū)動(dòng)器和加熱器驅(qū)動(dòng)器。來(lái)自 PWM2 引腳的 IPROPI/PWM2 控制僅適用于半橋。當(dāng) IPROPI/PWM2 引腳配置為 PWM 輸入時(shí)，IPROPI 檢測(cè)輸出變得不可用。每個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器的壓擺率都可以在 HB_SR_CNFG 中配置。
默認(rèn)情況下，IPROPI/PWM2 為檢測(cè)輸出。下面顯示了配置表。請(qǐng)注意，OUT5 和 OUT6 在 HB_OUT_CNFG1 中配置，OUT1 至 OUT4 在 HB_OUT_CNFG2 中配置：
| OUTX_CNFG[2] | OUTX_CNFG[1] | OUTX_CNFG[0] | OUTx | HS 導(dǎo)通 | LS 導(dǎo)通 |
|---|---|---|---|---|---|
| 0 | 0 | 0 | 關(guān)閉 | 關(guān)閉 | 關(guān)閉 |
| 0 | 0 | 1 | SPI 寄存器控制 | OUTX_CTRL | OUTX_CTRL |
| 0 | 1 | 0 | PWM 1 互補(bǔ)控制 | ~PWM1 | PWM1 |
| 0 | 1 | 1 | PWM 1 LS 控制 | 關(guān)閉 | PWM1 |
| 1 | 0 | 0 | PWM 1 HS 控制 | PWM1 | 關(guān)閉 |
| 1 | 0 | 1 | PWM 2 互補(bǔ)控制 | ~IPROPI/PWM2 | IPROPI/PWM2 |
| 1 | 1 | 0 | PWM 2 LS 控制 | 關(guān)閉 | IPROPI/PWM2 |
| 1 | 1 | 1 | PWM 2 HS 控制 | IPROPI/PWM2 | 關(guān)閉 |
當(dāng)半橋配置為 SPI 寄存器控制 (OUTx_CNFG = 01b) 時(shí)，半橋高側(cè)和低側(cè) MOSFET 可以在寄存器 GD_HB_CTRL 中通過(guò)位 OUTx_CTRL 單獨(dú)控制。半橋輸出的控制真值表如下所示：
| OUTx_CTRL (OUT1-6) 位 | 配置 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|
| 00 | 關(guān)閉 | 半橋控制關(guān)閉 |
| 01 | HS 導(dǎo)通 | 高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通 |
| 10 | LS 導(dǎo)通 | 低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通 |
| 11 | RSVD | 保留。 |
只要 SPI 通信可用，就可以通過(guò)寫入這些位來(lái)更改半橋控制模式。此更改會(huì)立即反映出來(lái)。
當(dāng)半橋配置為 PWM 運(yùn)行（OUTx_CNFG = 01xb、10xb 或 11xb）時(shí)，輸入可接受用于 100% 或 PWM 驅(qū)動(dòng)模式的靜態(tài)或脈寬調(diào)制 (PWM) 電壓信號(hào)。
在開關(guān)半橋上的高側(cè)和低側(cè) FET 之間轉(zhuǎn)換時(shí)，該器件會(huì)自動(dòng)生成所需的死區(qū)時(shí)間。該時(shí)序基于內(nèi)部 FET 柵源電壓。無(wú)需外部時(shí)序。該方案提供最短的死區(qū)時(shí)間，同時(shí)防止擊穿電流。