ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 外部組件
- 7.4
特性說明
- 7.4.1 加熱器 MOSFET 驅(qū)動器
- 7.4.2 高側(cè)驅(qū)動器
- 7.4.3 電致變色玻璃驅(qū)動器
- 7.4.4 半橋驅(qū)動器
- 7.4.5
柵極驅(qū)動器
- 7.4.5.1 輸入 PWM 模式
- 7.4.5.2 智能柵極驅(qū)動器 - 功能方框圖
- 7.4.5.3 三倍器（雙極）電荷泵
- 7.4.5.4 寬共模差分電流分流放大器
- 7.4.5.5 柵極驅(qū)動器保護電路
- 7.4.6 檢測輸出 (IPROPI)
- 7.4.7 保護電路
- 7.5 編程
- 8 DRV8000-Q1 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11預(yù)量產(chǎn)版修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
訂購信息
7.4.5.2.4 柵極驅(qū)動器狀態(tài)機 (TDRIVE)
智能柵極驅(qū)動架構(gòu)的 TDRIVE 元件是一個集成的柵極驅(qū)動狀態(tài)機，可提供自動死區(qū)時間插入、dV/dt 柵極寄生耦合預(yù)防和 MOSFET 柵極故障檢測等功能。
TDRIVE 狀態(tài)機的第一個作用是自動死區(qū)時間握手。死區(qū)時間是外部高側(cè)和低側(cè) MOSFET 開關(guān)期間體二極管導(dǎo)通的一段時間，旨在防止發(fā)生任何跨導(dǎo)或擊穿。DRV8000-Q1 的柵極驅(qū)動器使用 VGS 監(jiān)控器來實施斷路，然后通過測量外部 MOSFET VGS 電壓來確定正確啟用外部 MOSFET 的時間，從而建立死區(qū)時間方案。該方案使柵極驅(qū)動器能夠針對系統(tǒng)變化（例如溫度漂移、老化、電壓波動和外部 MOSFET 參數(shù)變化）來調(diào)整死區(qū)時間。如有需要，可插入一個額外的固定數(shù)字死區(qū)時間 (tDEAD_D)，并可通過 SPI 寄存器對其進行調(diào)整。
第二個作用側(cè)重于防止 dV/dt 柵極電荷寄生耦合。這通過在半橋中相反狀態(tài)的 MOSFET 開關(guān)或 Hi-Z 時啟用柵極強下拉電流 (ISTRONG) 來實現(xiàn)。當(dāng)半橋開關(guān)節(jié)點快速壓擺時，此功能有助于消除耦合到外部 MOSFET 柵極中的寄生電荷。
第三個作用是實施柵極故障檢測方案以檢測柵極電壓問題。這個方案用于檢測引腳對引腳的焊接缺陷、MOSFET 柵極故障或者柵極卡在高電壓或低電壓的情況。為此，需使用 VGS 監(jiān)控器在 tDRIVE 時間結(jié)束后測量柵極電壓。如果柵極電壓沒有達到適當(dāng)?shù)拈撝?，柵極驅(qū)動器會報告相應(yīng)的故障情況。為保持不會檢測到偽故障，選擇比 MOSFET 柵極充放電所需時間更長的 tDRIVE 時間。tDRIVE 時間不會影響 PWM 最小持續(xù)時間，如果收到另一個 PWM 命令，此時間提前終止。
圖 7-23 TDRIVE 導(dǎo)通/關(guān)斷