5 引腳配置和功能

圖 5-1 VQFN (RGZ) 48 引腳封裝和引腳功能

表 5-1 引腳功能

引腳		I/O⁽¹⁾	類型	說明
編號	名稱		類型	說明
1	OUT4	O	電源	440mΩ 半橋輸出 4。
2	PVDD	I	電源	器件驅(qū)動器電源輸入。連接到電橋電源。在 PVDD 和 GND 引腳之間連接一個 0.1μF、額定電壓為 PVDD 的陶瓷電容器和大于或等于 10μF 的局部大容量電容。
3	VCP	I/O	電源	電荷泵輸出。在 VCP 和 PVDD 引腳之間連接一個 1μF、16V 陶瓷電容器。
4	CP1H	I/O	電源	電荷泵開關節(jié)點。在 CP1H 引腳和 CP1L 引腳之間連接一個 100nF、額定電壓為 PVDD 的陶瓷電容器。
5	CP1L	I/O	電源
6	CP2H	I/O	電源	電荷泵開關節(jié)點。在 CP2H 引腳和 CP2L 引腳之間連接一個 100nF、額定電壓為 PVDD 的陶瓷電容器。
7	CP2L	I/O	電源
8	PVDD	I	電源	器件驅(qū)動器電源輸入。連接到電橋電源。在 PVDD 和 GND 引腳之間連接一個 0.1μF、額定電壓為 PVDD 的陶瓷電容器和大于或等于 10μF 的局部大容量電容。
9	OUT5	O	電源	155mΩ 半橋輸出 5。
10	PGND	I/O	接地	器件接地。連接到系統(tǒng)地。
11	OUT1	O	電源	1.54Ω 半橋輸出 1。
12	OUT2	O	電源	1.54Ω 半橋輸出 2。
13	GD_IN1	I	數(shù)字	柵極驅(qū)動器半橋和 H 橋控制輸入 1。
14	GD_IN2	I	數(shù)字	柵極驅(qū)動器半橋和 H 橋控制輸入 2。
15	PWM1	I	數(shù)字	用于對除電致變色和柵極驅(qū)動器之外所有驅(qū)動器進行調(diào)節(jié)的 PWM 輸入 1。
16	nSCS	I	數(shù)字	串行芯片選擇。此引腳上的邏輯低電平支持串行接口通信。內(nèi)部上拉電阻。
17	SDI	I	數(shù)字	串行數(shù)據(jù)輸入。在 SCLK 引腳的下降沿捕捉數(shù)據(jù)。內(nèi)部下拉電阻。
18	SDO	O	數(shù)字	串行數(shù)據(jù)輸出。在 SCLK 引腳的上升沿移出數(shù)據(jù)。推挽式輸出。
19	SCLK	I	數(shù)字	串行時鐘輸入。串行數(shù)據(jù)會移出并在此引腳上的相應上升沿和下降沿被捕捉。內(nèi)部下拉電阻。
20	IPROPI/PWM2	I/O	模擬	檢測輸出從任何驅(qū)動器負載電流反饋、PVDD 電壓反饋或熱儀表組溫度反饋進行多路復用。也可針對半橋驅(qū)動器配置為第二個 PWM 引腳輸入。
21	SO	O	模擬	分流放大器輸出。
22	DRVOFF	I	模擬	柵極驅(qū)動器關斷引腳。置為邏輯高電平可將高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出拉低。內(nèi)部下拉電阻。
23	nSLEEP	I	模擬	器件使能引腳。置為邏輯低電平可關斷器件并進入睡眠模式。內(nèi)部下拉電阻。
24	DVDD	I	電源	器件邏輯和數(shù)字輸出電源輸入。建議在 DVDD 和 GND 引腳之間連接一個 1.0μF、6.3V 的陶瓷電容器。
25	DGND	I/O	接地	器件接地。連接到系統(tǒng)地。
26	ECFB	I/O	電源	對于 EC 控制，引腳用作電壓監(jiān)控輸入和快速放電低側(cè)開關。如果不使用 EC 驅(qū)動功能，則通過 10kΩ 電阻器將此引腳連接到 GND。
27	ECDRV	O	模擬	對于 EC 控制，引腳控制外部 MOSFET 的柵極以進行 EC 電壓調(diào)節(jié)
28	SH_HS	I	模擬	高側(cè)加熱器 MOSFET 的源極引腳和加熱器負載的輸出。連接到高側(cè) MOSFET 的源極。
29	GH_HS	O	模擬	加熱器 MOSFET 的柵極驅(qū)動器輸出。連接到高側(cè) MOSFET 的柵極。
30	SN	I	模擬	放大器負輸入。連接到分流電阻器的負端子。不建議對分流放大器的輸入端進行額外濾波。
31	SP	I	模擬	放大器正輸入。連接到分流電阻器的正端子。不建議對分流放大器的輸入端進行額外濾波。
32	GH2	O	模擬	高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到高側(cè) MOSFET 的柵極。不建議將柵極驅(qū)動串聯(lián)電阻作為影響交叉轉(zhuǎn)換時序的手段。
33	SH2	I	模擬	高側(cè)源極感測輸入。連接到高側(cè) MOSFET 源極。
34	GL2	O	模擬	低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到低側(cè) MOSFET 的柵極。
35	SL	I	模擬	低側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動感測和電源返回。通過指向低側(cè) MOSFET 接地回路的低阻抗路徑連接到系統(tǒng)接地端。
36	GL1	O	模擬	低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到低側(cè) MOSFET 的柵極。
37	SH1	I	模擬	高側(cè)源極感測輸入。連接到高側(cè) MOSFET 源極。
38	GH1	O	電源	高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到高側(cè) MOSFET 的柵極。不建議將柵極驅(qū)動串聯(lián)電阻作為影響交叉轉(zhuǎn)換時序的手段。
39	OUT12	O	電源	1.2Ω 高側(cè)驅(qū)動器輸出 12。連接到低側(cè)負載。
40	OUT11	O	電源	1.2Ω 高側(cè)驅(qū)動器輸出 11?？膳渲脼?EC 驅(qū)動器的 SC 保護開關。連接到低側(cè)負載。
41	OUT10	O	電源	1.2Ω 高側(cè)驅(qū)動器輸出 10。連接到低側(cè)負載。
42	OUT9	O	電源	1.2Ω 高側(cè)驅(qū)動器輸出 9。連接到低側(cè)負載。
43	OUT8	O	電源	1.2Ω 高側(cè)驅(qū)動器輸出 8。連接到低側(cè)負載。
44	OUT7	O	電源	具有可配置的 R_DSON (400mΩ/1200mΩ) 的高側(cè)驅(qū)動器輸出。連接到低側(cè)負載。
45	PVDD	I	電源	器件驅(qū)動器電源輸入。連接到電橋電源。在 PVDD 和 GND 引腳之間連接一個 0.1μF、額定電壓為 PVDD 的陶瓷電容器和大于或等于 10μF 的局部大容量電容。
46	OUT6	O	電源	185mΩ 半橋輸出 6。
47	PGND	I/O	接地	器件接地。連接到系統(tǒng)地。
48	OUT3	O	電源	440mΩ 半橋輸出 3。

(1) I = 輸入，O = 輸出