ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 外部組件
- 7.4
特性說(shuō)明
- 7.4.1 加熱器 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.2 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.3 電致變色玻璃驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.4 半橋驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.5
柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.5.1 輸入 PWM 模式
- 7.4.5.2
智能柵極驅(qū)動(dòng)器 - 功能方框圖
- 7.4.5.2.1 智能柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.5.2.2 功能方框圖
- 7.4.5.2.3 壓擺率控制 (IDRIVE)
- 7.4.5.2.4 柵極驅(qū)動(dòng)器狀態(tài)機(jī) (TDRIVE)
- 7.4.5.2.5 傳播延遲降低 (PDR)
- 7.4.5.2.6 PDR 預(yù)充電/預(yù)放電控制環(huán)路運(yùn)行詳細(xì)信息
- 7.4.5.2.7 PDR 后充電/后放電控制環(huán)路運(yùn)行詳細(xì)信息
- 7.4.5.2.8 檢測(cè)驅(qū)動(dòng)和續(xù)流 MOSFET
- 7.4.5.2.9 自動(dòng)占空比補(bǔ)償 (DCC)
- 7.4.5.2.10 閉環(huán)壓擺時(shí)間控制 (STC)
- 7.4.5.3 三倍器（雙極）電荷泵
- 7.4.5.4 寬共模差分電流分流放大器
- 7.4.5.5 柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路
- 7.4.6 檢測(cè)輸出 (IPROPI)
- 7.4.7 保護(hù)電路
- 7.5 編程
- 8 DRV8000-Q1 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11預(yù)量產(chǎn)版修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
訂購(gòu)信息
7.4.5.2.4 柵極驅(qū)動(dòng)器狀態(tài)機(jī) (TDRIVE)
智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)的 TDRIVE 元件是一個(gè)集成的柵極驅(qū)動(dòng)狀態(tài)機(jī)，可提供自動(dòng)死區(qū)時(shí)間插入、dV/dt 柵極寄生耦合預(yù)防和 MOSFET 柵極故障檢測(cè)等功能。
TDRIVE 狀態(tài)機(jī)的第一個(gè)作用是自動(dòng)死區(qū)時(shí)間握手。死區(qū)時(shí)間是外部高側(cè)和低側(cè) MOSFET 開關(guān)期間體二極管導(dǎo)通的一段時(shí)間，旨在防止發(fā)生任何跨導(dǎo)或擊穿。DRV8000-Q1 的柵極驅(qū)動(dòng)器使用 VGS 監(jiān)控器來(lái)實(shí)施斷路，然后通過(guò)測(cè)量外部 MOSFET VGS 電壓來(lái)確定正確啟用外部 MOSFET 的時(shí)間，從而建立死區(qū)時(shí)間方案。該方案使柵極驅(qū)動(dòng)器能夠針對(duì)系統(tǒng)變化（例如溫度漂移、老化、電壓波動(dòng)和外部 MOSFET 參數(shù)變化）來(lái)調(diào)整死區(qū)時(shí)間。如有需要，可插入一個(gè)額外的固定數(shù)字死區(qū)時(shí)間 (tDEAD_D)，并可通過(guò) SPI 寄存器對(duì)其進(jìn)行調(diào)整。
第二個(gè)作用側(cè)重于防止 dV/dt 柵極電荷寄生耦合。這通過(guò)在半橋中相反狀態(tài)的 MOSFET 開關(guān)或 Hi-Z 時(shí)啟用柵極強(qiáng)下拉電流 (ISTRONG) 來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)半橋開關(guān)節(jié)點(diǎn)快速壓擺時(shí)，此功能有助于消除耦合到外部 MOSFET 柵極中的寄生電荷。
第三個(gè)作用是實(shí)施柵極故障檢測(cè)方案以檢測(cè)柵極電壓?jiǎn)栴}。這個(gè)方案用于檢測(cè)引腳對(duì)引腳的焊接缺陷、MOSFET 柵極故障或者柵極卡在高電壓或低電壓的情況。為此，需使用 VGS 監(jiān)控器在 tDRIVE 時(shí)間結(jié)束后測(cè)量柵極電壓。如果柵極電壓沒有達(dá)到適當(dāng)?shù)拈撝?，柵極驅(qū)動(dòng)器會(huì)報(bào)告相應(yīng)的故障情況。為保持不會(huì)檢測(cè)到偽故障，選擇比 MOSFET 柵極充放電所需時(shí)間更長(zhǎng)的 tDRIVE 時(shí)間。tDRIVE 時(shí)間不會(huì)影響 PWM 最小持續(xù)時(shí)間，如果收到另一個(gè) PWM 命令，此時(shí)間提前終止。
圖 7-23 TDRIVE 導(dǎo)通/關(guān)斷