以下是電致變色驅(qū)動(dòng)器的方框圖：

根據(jù)系統(tǒng)實(shí)施情況，器件的電子鉻驅(qū)動(dòng)器支持如下配置：電子鉻高側(cè)充電 MOSFET 的漏極可由高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 OUT11 供電，也可直接由電源電壓 (PVDD) 供電。EC 控制塊可以獨(dú)立于 OUT11 或外部 FET 電源 (PVDD) 運(yùn)行，無論在哪種配置下，都具有獨(dú)立的保護(hù)電路。如果需要額外的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)另一個(gè)負(fù)載，這會(huì)很有用。該配置中的主要限制是，如果充電 MOSFET 發(fā)生短路故障，則無法像將 OUT11 用作 EC 電源一樣切斷與電源的連接。當(dāng) EC 直接由 PVDD 供電（OUT11 配置為獨(dú)立模式）時(shí)，仍可以檢測到短路、過壓和開路負(fù)載情況。

OUT11 用于為 EC 供電：該配置在寄存器 HS_OC_CNFG 的 OUT11_EC_MODE 位中設(shè)置。默認(rèn)情況下，OUT11_EC_MODE = 1b，配置為 EC 驅(qū)動(dòng)器的電源，如方框圖 電致變色驅(qū)動(dòng)器方框圖 - 默認(rèn)配置 所示。在該配置下，寄存器 HS_HEAT_OUT_CNFG 中的 OUT11_CNFG 位被忽略（ON/OFF、SPI/PWM）。在 EC 充電和放電狀態(tài)期間，OUT11 和 1.2Ω ECFB 低側(cè)放電 MOSFET 均分別激活了過流、過壓和無源開路負(fù)載檢測功能。

PVDD 為 EC 供電，OUT11 獨(dú)立：要使用 OUT11 作為獨(dú)立高側(cè)驅(qū)動(dòng)器（獨(dú)立于 EC 控制）來驅(qū)動(dòng)單獨(dú)的負(fù)載，其中 EC 充電 MOSFET 的漏極直接連接到電源電壓，請?jiān)诩拇嫫?HS_OC_CNFG 中設(shè)置 OUT11_EC_MODE = 0b。

該引腳不用作 EC 時(shí)，獨(dú)立模式 ITRIP 調(diào)節(jié)對 OUT11 有效。OUT11 處于 EC 模式時(shí)，即使配置了調(diào)節(jié)模式，也不執(zhí)行電流調(diào)節(jié)。

與之前一樣，ECFB 低側(cè)放電 MOSFET 保護(hù)電路在 EC 放電狀態(tài)期間處于激活狀態(tài)。下圖顯示了該配置：

要使能 EC 驅(qū)動(dòng)器：將寄存器 HS_EC_HEAT_CTRL 中的 EC_ON 和 EC_V_TAR 位設(shè)置為所需的目標(biāo)電壓，以使能 EC 驅(qū)動(dòng)器控制環(huán)路。這些位置位后，將使能 EC 驅(qū)動(dòng)器控制環(huán)路。

對于 EC 元件電壓控制：EC 驅(qū)動(dòng)器一旦使能，驅(qū)動(dòng)器的反饋回路即被激活，并會(huì)將 ECFB 引腳電壓調(diào)節(jié)到寄存器 HS_EC_HEAT_CTRL 中的 EC_V_TAR 位中設(shè)置的目標(biāo)電壓。ECFB 引腳上的目標(biāo)電壓采用二進(jìn)制編碼，滿標(biāo)量程為 1.5V 或 1.2V，具體取決于寄存器 EC_CNFG 中的 ECFB_MAX 位設(shè)置為 1 還是 0。ECFB_MAX = 0b 是默認(rèn)值 (1.2V)。

每當(dāng)為 EC 電壓設(shè)置新值時(shí)，一旦控制回路開始調(diào)節(jié)到新的目標(biāo)值，ECFB 的 ECFB_HI 或 ECFB_LO 狀態(tài)指示就會(huì)有 250μs 的消隱時(shí)間 t_{BLK_ECFB}。

該器件提供兩種放電模式：快速放電和 PWM 放電。

EC 元件快速放電：要通過快速放電使 EC 元件完全放電，ECFB_LS_PWM 必須設(shè)置為 0b。目標(biāo)輸出電壓 EC_V_TAR 也必須設(shè)置為 0b，EC_CNFG 中的 ECFB_LS_EN 和 EC_ON 位必須設(shè)置為 1b。當(dāng)滿足這四個(gè)條件時(shí)，通過將 ECFB 引腳上的內(nèi)部 1.2Ω 低側(cè) MOSFET 拉至接地來對引腳 ECFB 上的電壓進(jìn)行放電。

1. 在寄存器 EC_CNFG 中配置 ECFB_LS_PWM = 0b
2. 設(shè)置寄存器 HS_EC_HEAT_CTRL 中的這些位：ECFB_LS_EN = 1b、EC_ON = 1b 和 EC_V_TAR = 0b。
3. ECFB LS MOSFET 被使能并執(zhí)行 EC 鏡像快速放電。

EC 元件 PWM 放電：以下步驟概述了電子鉻驅(qū)動(dòng)器的 PWM 放電周期：

1. 在寄存器 EC_CNFG 中配置 ECFB_LS_PWM = 1b
2. 設(shè)置寄存器 HS_EC_HEAT_CTRL 中的這些位：ECFB_LS_EN = 1b、EC_ON = 1b。
3. 如果調(diào)節(jié)環(huán)路檢測到 V_ECDRV 小于 V_ECFB 且 V_ECDRV 小于 400mV 的時(shí)間長于 t_RECHARGE 或 3ms，ECDRV 穩(wěn)壓器將關(guān)閉，ECFB 上的 LS MOSFET 將激活約 300ms (t_DISCHARGE)。在此放電期間，ECDRV 輸出被拉至低電平，以防止擊穿電流。
4. 在放電脈沖 t_DISCHARGE 結(jié)束時(shí)，放電 MOSFET 關(guān)閉，并且會(huì)使用新的較低值再次激活調(diào)節(jié)環(huán)路。調(diào)節(jié)環(huán)路返回到步驟 2，再次觀察到超出穩(wěn)壓范圍的情況（V_ECDRV < 400mV 或 V_ECDRV < V_ECFB）。如果不滿足超出調(diào)節(jié)范圍的情況，環(huán)路會(huì)恢復(fù)正常運(yùn)行狀態(tài)。

下圖顯示了電子鉻驅(qū)動(dòng)器的 PWM 放電周期：

電壓控制環(huán)路的狀態(tài)通過 SPI 報(bào)告，TI 建議觀察該報(bào)告以確定 EC 充電和放電控制時(shí)序。如果引腳 ECFB 上的電壓比目標(biāo)值高 120mV 以上，則 ECFB_HI 位置位。如果引腳 ECFB 上的電壓比目標(biāo)值低 120mV，則 ECFB_LO 位置位。如果 ECFB 狀態(tài)位 ECFB_HI 和 ECFB_LO 至少在濾波器時(shí)間 t_{FT_ECFB} 內(nèi)保持穩(wěn)定，則這些位均有效。這些位不會(huì)被鎖存，也不會(huì)被指定為全局故障。

退出放電模式：要退出放電模式，請將 EC_V_TAR 設(shè)置為非零值。對新目標(biāo)電壓進(jìn)行編程時(shí)，無需更改 ECFB_LS_EN 位，控制環(huán)路內(nèi)部邏輯可防止 OUT11 和 ECFB LS 同時(shí)導(dǎo)通。

必須在引腳 ECDRV 上添加一個(gè)至少 4.7nF 的電容器，并在 ECFB 和接地端之間添加 220nF 的電容器，以提高控制環(huán)路穩(wěn)定性。出于防噪性能的原因，TI 建議將環(huán)路電容器盡可能靠近相應(yīng)的引腳放置。

如果不使用 EC 驅(qū)動(dòng)器，則將 ECFB 引腳接地。