ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 外部組件
- 7.4
特性說明
- 7.4.1 加熱器 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.2 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.3 電致變色玻璃驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.4 半橋驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.5
柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.5.1 輸入 PWM 模式
- 7.4.5.2
智能柵極驅(qū)動(dòng)器 - 功能方框圖
- 7.4.5.2.1 智能柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.5.2.2 功能方框圖
- 7.4.5.2.3 壓擺率控制 (IDRIVE)
- 7.4.5.2.4 柵極驅(qū)動(dòng)器狀態(tài)機(jī) (TDRIVE)
- 7.4.5.2.5 傳播延遲降低 (PDR)
- 7.4.5.2.6 PDR 預(yù)充電/預(yù)放電控制環(huán)路運(yùn)行詳細(xì)信息
- 7.4.5.2.7 PDR 后充電/后放電控制環(huán)路運(yùn)行詳細(xì)信息
- 7.4.5.2.8 檢測驅(qū)動(dòng)和續(xù)流 MOSFET
- 7.4.5.2.9 自動(dòng)占空比補(bǔ)償 (DCC)
- 7.4.5.2.10 閉環(huán)壓擺時(shí)間控制 (STC)
- 7.4.5.3 三倍器（雙極）電荷泵
- 7.4.5.4 寬共模差分電流分流放大器
- 7.4.5.5 柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路
- 7.4.6 檢測輸出 (IPROPI)
- 7.4.7 保護(hù)電路
- 7.5 編程
- 8 DRV8000-Q1 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11預(yù)量產(chǎn)版修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
訂購信息
7.4.1.1 加熱器 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器控制
加熱器 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器控制模式使用寄存器 HS_HEAT_OUT_CNFG 中的 HEAT_CNFG 位進(jìn)行配置。加熱器配置位可使能或禁用加熱器輸出控制，并配置控制源。對(duì)于加熱器驅(qū)動(dòng)器，控制源為 SPI 寄存器控制和 PWM 引腳控制。
在 SPI 寄存器控制模式下 (HEAT_CNFG = 01b)，通過將寄存器 HS_EC_HEAT_CTRL 中的 HEAT_EN 位置位來使能和禁用加熱器 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)。
在 PWM 控制模式下 (HEAT_CNFG = 10b)，柵極驅(qū)動(dòng)器通過引腳 PWM1 上的外部 PWM 信號(hào)進(jìn)行控制。如果加熱器驅(qū)動(dòng)器處于 PWM 控制模式，則 HEAT_EN 會(huì)被忽略。
下表匯總了加熱器驅(qū)動(dòng)器配置和控制選項(xiàng)：
表 7-4 加熱器配置
| HEAT_CNFG 位 | 配置 | 說明 |
|---|---|---|
| 00b | 禁用 | 加熱器控制已禁用 |
| 01b | SPI 寄存器控制 | 加熱器 SPI 控制已使能 |
| 10b | PWM1 控制 | 通過 PWM1 引腳進(jìn)行加熱器控制 |
| 11b | 保留 | 保留 |
以下是加熱器驅(qū)動(dòng)器模塊的方框圖：
圖 7-2 加熱器 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器方框圖下面的時(shí)序波形顯示了加熱器驅(qū)動(dòng)器的預(yù)期時(shí)序：
圖 7-3 加熱器時(shí)序圖