ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
該器件提供了必要的硬件來(lái)對(duì)外部功率 MOSFET 和負(fù)載執(zhí)行離線短路和開(kāi)路負(fù)載診斷。這是通過(guò)連接到外部半橋開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的 SHx 引腳上的集成上拉和下拉電流源來(lái)實(shí)現(xiàn)的。離線診斷由相關(guān)寄存器位 EN_OLSC 控制。首先,需要通過(guò) EN_OLSC 寄存器設(shè)置來(lái)啟用離線診斷模式。然后,可通過(guò) GUID-20241102-SS0T-2MF9-O4PV-83REPDKN24Q9.html#DRV8000-Q1_CNFG_DRV8000-Q1_CNFG_DRV8000-Q1_CNFG_GD_CNFG_PD_SH_1 和 PU_SHx 寄存器設(shè)置來(lái)啟用各個(gè)電流源。
通過(guò)內(nèi)部 VDS 比較器持續(xù)監(jiān)控 SHx 引腳上的電壓。在診斷狀態(tài)期間,VDS 比較器在 SPI 寄存器內(nèi)從相關(guān) VDS_XX 寄存器狀態(tài)位中報(bào)告 SHx 引腳節(jié)點(diǎn)上的實(shí)時(shí)電壓反饋。當(dāng) VDS 比較器處于診斷模式時(shí),全局 GD SPI 寄存器位不會(huì)報(bào)告故障或警告。
在啟用離線診斷之前,TI 建議通過(guò) EN_GD 寄存器設(shè)置將外部 MOSFET 半橋置于禁用狀態(tài)。此外,將 VDS 比較器閾值( 或 )調(diào)整為 1V 或更高,保持足夠的余量用于內(nèi)部阻斷二極管正向壓降。
設(shè)置 EN_OLSC 后,VDS 比較器會(huì)立即啟動(dòng)實(shí)時(shí)電壓反饋。反饋會(huì)被忽略,直到設(shè)置了正確的上拉和下拉配置。