ZHCSQ43 january 2023 MCT8329A
PRODUCTION DATA
在開(kāi)啟或關(guān)閉功率 MOSFET 柵極以開(kāi)關(guān)電機(jī)電流時(shí)，選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)電流至關(guān)重要。MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)電流和輸入電容的大小決定了漏源電壓壓擺率 (VDS)。柵極驅(qū)動(dòng)電流可從 GVDD 流入 MOSFET 柵極 (ISOURCE) 或從 MOSFET 柵極流入 SHx 或 LSS (ISINK)。
使用過(guò)高的柵極驅(qū)動(dòng)電流會(huì)使 MOSFET 導(dǎo)通過(guò)快，這可能會(huì)導(dǎo)致過(guò)度振鈴、dV/dt 耦合或開(kāi)關(guān)大電流引起的跨導(dǎo)。如果系統(tǒng)中存在寄生電感和電容，則可能會(huì)出現(xiàn)電壓尖峰或振鈴，這可能會(huì)損壞 MOSFET 或 MCT8329A 器件。
另一方面，使用過(guò)低的柵極驅(qū)動(dòng)電流會(huì)導(dǎo)致較慢的 VDS 壓擺率。由于 RDS,on 開(kāi)關(guān)損耗，MOSFET 的導(dǎo)通速度太慢可能會(huì)使 MOSFET 升溫。
柵極驅(qū)動(dòng)電流 IGATE、MOSFET 柵漏電荷 QGD 和 VDS 壓擺率開(kāi)關(guān)時(shí)間 trise,fall 之間的關(guān)系如以下公式所示：
建議在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電流下進(jìn)行評(píng)估并增加?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電流設(shè)置，避免在初始評(píng)估期間因意外操作而造成損壞。