ZHCSQ43 january 2023 MCT8329A
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 三相 BLDC 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.3.2 柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
- 7.3.3 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.4 DVDD 穩(wěn)壓器
- 7.3.5 低側(cè)電流檢測(cè)放大器
- 7.3.6 器件接口模式
- 7.3.7 電機(jī)控制輸入選項(xiàng)
- 7.3.8 在不同初始條件下啟動(dòng)電機(jī)
- 7.3.9 電機(jī)啟動(dòng)順序 (MSS)
- 7.3.10 閉環(huán)運(yùn)行
- 7.3.11 速度環(huán)路
- 7.3.12 電源環(huán)路
- 7.3.13 防電壓浪涌 (AVS)
- 7.3.14 輸出 PWM 開關(guān)頻率
- 7.3.15 快速啟動(dòng)時(shí)間（< 50ms）
- 7.3.16 快速減速
- 7.3.17 動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)
- 7.3.18 電機(jī)停止運(yùn)轉(zhuǎn)選項(xiàng)
- 7.3.19 FG 配置
- 7.3.20
保護(hù)功能
- 7.3.20.1 PVDD 電源欠壓鎖定 (PVDD_UV)
- 7.3.20.2 AVDD 上電復(fù)位 (AVDD_POR)
- 7.3.20.3 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 7.3.20.4 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 7.3.20.5 MOSFET VDS 過流保護(hù) (VDS_OCP)
- 7.3.20.6 VSENSE 過流保護(hù) (SEN_OCP)
- 7.3.20.7 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 7.3.20.8
逐周期 (CBC) 電流限制 (CBC_ILIMIT)
- 7.3.20.8.1 CBC_ILIMIT 自動(dòng)恢復(fù)下一個(gè) PWM 周期 (CBC_ILIMIT_MODE = 000xb)
- 7.3.20.8.2 CBC_ILIMIT 基于自動(dòng)恢復(fù)閾值 (CBC_ILIMIT_MODE = 001xb)
- 7.3.20.8.3 CBC_ILIMIT 'n' 個(gè) PWM 周期后自動(dòng)恢復(fù) (CBC_ILIMIT_MODE = 010xb)
- 7.3.20.8.4 CBC_ILIMIT 僅報(bào)告 (CBC_ILIMIT_MODE = 0110b)
- 7.3.20.8.5 CBC_ILIMIT 已禁用（CBC_ILIMIT_MODE = 0111b 或 1xxxb）
- 7.3.20.9 鎖定檢測(cè)電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 7.3.20.10 電機(jī)鎖定 (MTR_LCK)
- 7.3.20.11 電機(jī)鎖定檢測(cè)
- 7.3.20.12 IPD 故障
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 外部接口
- 7.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 7.7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 7.8 RAM（易失性）寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- REE|36
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
7.3.2 柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
柵極驅(qū)動(dòng)器器件采用適用于高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的互補(bǔ)推挽拓?fù)洹Ｔ撏負(fù)湓试S對(duì)外部 MOSFET 柵極進(jìn)行強(qiáng)上拉和強(qiáng)下拉。低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器由 GVDD 穩(wěn)壓器電源直接供電。對(duì)于高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，自舉二極管和電容器用于生成浮動(dòng)高側(cè)柵極電壓電源。集成了自舉二極管，并在 BSTx 引腳上使用了一個(gè)外部自舉電容器。為支持 100% 占空比控制，器件中集成了一個(gè)涓流電荷泵。涓流電荷泵連接到 BSTx 節(jié)點(diǎn)，以防止由于驅(qū)動(dòng)器和外部 MOSFET 的漏電流而導(dǎo)致電壓降。
高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器具有半有源下拉功能，而低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器具有無源下拉功能，有助于防止外部 MOSFET 在睡眠狀態(tài)或電源斷開時(shí)導(dǎo)通。
圖 7-2 柵極驅(qū)動(dòng)器方框圖