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ZHCSQ43 january 2023 MCT8329A

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

REE|36
- MPQF647

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

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zhcsq43_oa

自舉電容器和 GVDD 電容器選型

自舉電容器的大小必須能夠維持自舉電壓高于欠壓鎖定以實(shí)現(xiàn)正常運(yùn)行。方程式 20 用于計(jì)算自舉電容器上允許的最大壓降：

方程式 20.

ΔV_BSTX = 12V – 0.85V – 4.45V = 6.7V

其中

V_GVDD 是柵極驅(qū)動(dòng)器的電源電壓
V_BOOTD 是自舉二極管的正向壓降
V_BSTUV 是自舉欠壓鎖定的閾值

在該示例中，自舉電容器上允許的壓降為 6.7V。通常建議應(yīng)盡可能降低自舉電容器和 GVDD 電容器上的紋波電壓。商業(yè)、工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中的常用紋波值介于 0.5V 和 1V 之間。

每個(gè)開(kāi)關(guān)周期所需的總電荷可以通過(guò)方程式 21 進(jìn)行估算：

方程式 21.

Q_{T O T} = Q_{G} + \frac{I L_{B S_T R A N}}{f_{S W}}

Q_TOT = 54nC + 115μA/20kHz = 54nC + 5.8nC = 59.8nC

其中

Q_G 是總 MOSFET 柵極電荷
IL_{BS_TRAN} 是自動(dòng)加載引腳漏電流
f_SW 是 PWM 頻率

假設(shè) ΔV_BSTx 為 1V，則最小自舉電容器可通過(guò)以下公式進(jìn)行估算：

方程式 22.

C_{BST_MIN} = 59.8nC/1V = 59.8nF

計(jì)算出的最小自舉電容值為 59.8nF。請(qǐng)注意，這是全偏置電壓條件下所需的電容值。實(shí)際應(yīng)用中，自舉電容值必須大于計(jì)算值，才能確保在功率級(jí)可能因各種瞬態(tài)條件而發(fā)生脈沖跳躍的情況下正常使用。在本示例中，建議使用 100nF 自舉電容器。此外，還建議預(yù)留足夠的裕度，并將自舉電容器盡可能靠近 BSTx 和 SHx 引腳放置。

方程式 23.

C_GVDD = 10*100nF = 1μF

對(duì)于該示例應(yīng)用，選擇 1μF C_GVDD 電容器。選擇電壓等級(jí)至少是其將承受的最大電壓兩倍的電容器，因?yàn)榇蠖鄶?shù)陶瓷電容器在偏置時(shí)會(huì)損失大量電容。該值還可提高系統(tǒng)的長(zhǎng)期可靠性。

注：對(duì)于需要以更長(zhǎng)時(shí)間提供 100% 占空比支持的更高功率系統(tǒng)，建議使用 ≥1μF 的 C_BSTx 和 ≥10μF 的 C_GVDD。