ZHCSQ43 january 2023 MCT8329A
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說(shuō)明
- 7.3.1 三相 BLDC 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.3.2 柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
- 7.3.3 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.4 DVDD 穩(wěn)壓器
- 7.3.5 低側(cè)電流檢測(cè)放大器
- 7.3.6 器件接口模式
- 7.3.7 電機(jī)控制輸入選項(xiàng)
- 7.3.8 在不同初始條件下啟動(dòng)電機(jī)
- 7.3.9 電機(jī)啟動(dòng)順序 (MSS)
- 7.3.10 閉環(huán)運(yùn)行
- 7.3.11 速度環(huán)路
- 7.3.12 電源環(huán)路
- 7.3.13 防電壓浪涌 (AVS)
- 7.3.14 輸出 PWM 開(kāi)關(guān)頻率
- 7.3.15 快速啟動(dòng)時(shí)間（< 50ms）
- 7.3.16 快速減速
- 7.3.17 動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)
- 7.3.18 電機(jī)停止運(yùn)轉(zhuǎn)選項(xiàng)
- 7.3.19 FG 配置
- 7.3.20
保護(hù)功能
- 7.3.20.1 PVDD 電源欠壓鎖定 (PVDD_UV)
- 7.3.20.2 AVDD 上電復(fù)位 (AVDD_POR)
- 7.3.20.3 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 7.3.20.4 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 7.3.20.5 MOSFET VDS 過(guò)流保護(hù) (VDS_OCP)
- 7.3.20.6 VSENSE 過(guò)流保護(hù) (SEN_OCP)
- 7.3.20.7 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 7.3.20.8
逐周期 (CBC) 電流限制 (CBC_ILIMIT)
- 7.3.20.8.1 CBC_ILIMIT 自動(dòng)恢復(fù)下一個(gè) PWM 周期 (CBC_ILIMIT_MODE = 000xb)
- 7.3.20.8.2 CBC_ILIMIT 基于自動(dòng)恢復(fù)閾值 (CBC_ILIMIT_MODE = 001xb)
- 7.3.20.8.3 CBC_ILIMIT 'n' 個(gè) PWM 周期后自動(dòng)恢復(fù) (CBC_ILIMIT_MODE = 010xb)
- 7.3.20.8.4 CBC_ILIMIT 僅報(bào)告 (CBC_ILIMIT_MODE = 0110b)
- 7.3.20.8.5 CBC_ILIMIT 已禁用（CBC_ILIMIT_MODE = 0111b 或 1xxxb）
- 7.3.20.9 鎖定檢測(cè)電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 7.3.20.10 電機(jī)鎖定 (MTR_LCK)
- 7.3.20.11 電機(jī)鎖定檢測(cè)
- 7.3.20.12 IPD 故障
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 外部接口
- 7.6 EEPROM 訪問(wèn)和 I2C 接口
- 7.7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 7.8 RAM（易失性）寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- REE|36
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
柵極電阻器選型
SHx 連接的壓擺率將取決于外部 MOSFET 柵極的控制速率。MCT8329A 的上拉/下拉強(qiáng)度在內(nèi)部是固定的，因此可以通過(guò)外部串聯(lián)柵極電阻器來(lái)控制柵極電壓的壓擺率。在部分應(yīng)用中，MOSFET 的柵極電荷（即柵極驅(qū)動(dòng)器器件上的負(fù)載）明顯大于柵極驅(qū)動(dòng)器峰值輸出電流能力。在此類(lèi)應(yīng)用中，外部柵極電阻器可以限制柵極驅(qū)動(dòng)器的峰值輸出電流。外部柵極電阻器還用于抑制振鈴和噪聲。
MOSFET 的特定參數(shù)、系統(tǒng)電壓和電路板寄生效應(yīng)都會(huì)影響最終的 SHx 壓擺率，因此選擇外部柵極電阻器的最佳阻值或配置通常是一個(gè)迭代過(guò)程。
為了降低柵極驅(qū)動(dòng)電流，串聯(lián)電阻器 RGATE 可以放置在柵極驅(qū)動(dòng)輸出上，以控制拉電流和灌電流路徑的電流。單個(gè)柵極電阻器將為柵極拉電流和灌電流提供相同的柵極路徑，因此較大的 RGATE 值將產(chǎn)生類(lèi)似的 SHx 壓擺率。請(qǐng)注意，柵極驅(qū)動(dòng)電流因器件的 PVDD 電壓、結(jié)溫和工藝變化而異。
圖 8-2 具有串聯(lián)電阻器的柵極驅(qū)動(dòng)器輸出
圖 8-3 具有獨(dú)立拉電流路徑和灌電流路徑的柵極驅(qū)動(dòng)器輸出通常，建議灌電流是拉電流的兩倍，以實(shí)現(xiàn)從柵極到源極的強(qiáng)下拉，從而確保 MOSFET 在相反的 FET 開(kāi)關(guān)時(shí)保持關(guān)斷。通過(guò)將一個(gè)二極管和一個(gè)灌電流電阻器 (RSINK) 與拉電流電阻器 (RSOURCE) 并聯(lián)放置，使用一個(gè)電阻器為拉電流和灌電流提供單獨(dú)的路徑，能夠以分立方式實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。使用阻值相同的拉電流電阻器和灌電流電阻器會(huì)使灌電流路徑的等效電阻減半。這樣產(chǎn)生的柵極驅(qū)動(dòng)灌電流是拉電流的兩倍，并且在關(guān)斷 MOSFET 時(shí) SHx 的壓擺率將提高一倍。