ZHCSQ43 january 2023 MCT8329A
PRODUCTION DATA
IPD 釋放使用高阻態(tài)模式,高側(cè) (HSA) 和低側(cè) (LSC) MOSFET 均關(guān)斷,電流通過(guò)體二極管再循環(huán)回到電源中(請(qǐng)參閱圖 7-19)。
IPD 釋放期間的高阻態(tài)模式會(huì)使電機(jī)直流電源電壓 VM (VPVDD) 上的電壓升高。用于必須通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)你Q位電路或通過(guò)在 VPVDD 和 GND 之間提供足夠的電容以吸收能量來(lái)解決該問(wèn)題。