ZHCSQ43 january 2023 MCT8329A
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說(shuō)明
- 7.3.1 三相 BLDC 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.3.2 柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
- 7.3.3 AVDD 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.4 DVDD 穩(wěn)壓器
- 7.3.5 低側(cè)電流檢測(cè)放大器
- 7.3.6 器件接口模式
- 7.3.7 電機(jī)控制輸入選項(xiàng)
- 7.3.8 在不同初始條件下啟動(dòng)電機(jī)
- 7.3.9 電機(jī)啟動(dòng)順序 (MSS)
- 7.3.10 閉環(huán)運(yùn)行
- 7.3.11 速度環(huán)路
- 7.3.12 電源環(huán)路
- 7.3.13 防電壓浪涌 (AVS)
- 7.3.14 輸出 PWM 開(kāi)關(guān)頻率
- 7.3.15 快速啟動(dòng)時(shí)間（< 50ms）
- 7.3.16 快速減速
- 7.3.17 動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)
- 7.3.18 電機(jī)停止運(yùn)轉(zhuǎn)選項(xiàng)
- 7.3.19 FG 配置
- 7.3.20
保護(hù)功能
- 7.3.20.1 PVDD 電源欠壓鎖定 (PVDD_UV)
- 7.3.20.2 AVDD 上電復(fù)位 (AVDD_POR)
- 7.3.20.3 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 7.3.20.4 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 7.3.20.5 MOSFET VDS 過(guò)流保護(hù) (VDS_OCP)
- 7.3.20.6 VSENSE 過(guò)流保護(hù) (SEN_OCP)
- 7.3.20.7 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 7.3.20.8
逐周期 (CBC) 電流限制 (CBC_ILIMIT)
- 7.3.20.8.1 CBC_ILIMIT 自動(dòng)恢復(fù)下一個(gè) PWM 周期 (CBC_ILIMIT_MODE = 000xb)
- 7.3.20.8.2 CBC_ILIMIT 基于自動(dòng)恢復(fù)閾值 (CBC_ILIMIT_MODE = 001xb)
- 7.3.20.8.3 CBC_ILIMIT 'n' 個(gè) PWM 周期后自動(dòng)恢復(fù) (CBC_ILIMIT_MODE = 010xb)
- 7.3.20.8.4 CBC_ILIMIT 僅報(bào)告 (CBC_ILIMIT_MODE = 0110b)
- 7.3.20.8.5 CBC_ILIMIT 已禁用（CBC_ILIMIT_MODE = 0111b 或 1xxxb）
- 7.3.20.9 鎖定檢測(cè)電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 7.3.20.10 電機(jī)鎖定 (MTR_LCK)
- 7.3.20.11 電機(jī)鎖定檢測(cè)
- 7.3.20.12 IPD 故障
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 外部接口
- 7.6 EEPROM 訪問(wèn)和 I2C 接口
- 7.7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 7.8 RAM（易失性）寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- REE|36
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
7.3.4.3 用于 VREG 電源的外部 MOSFET
MCT8329A 提供驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET 的選項(xiàng)，該外部 MOSFET 可用作穩(wěn)壓器，并可用于通過(guò) VREG 引腳為內(nèi)部數(shù)字電路供電（請(qǐng)參閱節(jié) 7.3.4.3）。在這種情況下，VREG 不得連接到 AVDD 或外部 3.3V/5V 電源。連接外部 MOSFET 的選項(xiàng)可用于降低 MCT8329A 中的功率耗散，并將功率損耗轉(zhuǎn)移到外部 MOSFET，適用于面臨散熱挑戰(zhàn)的用例。
必須選擇外部 MOSFET 的 VGS(th)，以確保 VREG 電壓在整個(gè)工作條件下處于 2.2V 和 5.5V 之間。有關(guān)應(yīng)用示例設(shè)計(jì)就散，請(qǐng)參閱節(jié) 8.2.1。外部 MOSFET 的輸入電容需要小于 2nF 以滿(mǎn)足啟動(dòng)時(shí)間 EX_SL_DR_ANA（模擬輸入）或 tEX_SL_DR_PWM（PWM 輸入）。
注： GCTRL 引腳是一個(gè)高阻抗節(jié)點(diǎn) (> 1M?)，除外部 MOSFET 柵極和 CGCTRL 之外，不應(yīng)從外部為該引腳施加負(fù)載。GCTRL 引腳上的外部負(fù)載（連接至 GND）會(huì)降低 GCTRL 引腳和 VREG 引腳上的電壓。
圖 7-6 用于 VREG 的外部 MOSFET 穩(wěn)壓器