ZHCSZ01 August 2025 DRV8002-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 外部組件
- 7.4
特性說(shuō)明
- 7.4.1 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.2 半橋驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.3
柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.3.1 輸入 PWM 模式
- 7.4.3.2
智能柵極驅(qū)動(dòng)器 - 功能方框圖
- 7.4.3.2.1 智能柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.3.2.2 功能方框圖
- 7.4.3.2.3 壓擺率控制 (IDRIVE)
- 7.4.3.2.4 柵極驅(qū)動(dòng)器狀態(tài)機(jī) (TDRIVE)
- 7.4.3.2.5 傳播延遲降低 (PDR)
- 7.4.3.2.6 PDR 預(yù)充電/預(yù)放電控制環(huán)路運(yùn)行詳細(xì)信息
- 7.4.3.2.7 PDR 后充電/后放電控制環(huán)路運(yùn)行詳細(xì)信息
- 7.4.3.2.8 檢測(cè)驅(qū)動(dòng)和續(xù)流 MOSFET
- 7.4.3.2.9 自動(dòng)占空比補(bǔ)償 (DCC)
- 7.4.3.2.10 閉環(huán)壓擺時(shí)間控制 (STC)
- 7.4.3.3 三倍器（雙極）電荷泵
- 7.4.3.4 寬共模差分電流分流放大器
- 7.4.3.5 柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路
- 7.4.4 檢測(cè)輸出 (IPROPI)
- 7.4.5 保護(hù)電路
- 7.5 編程
- 8 DRV8002-Q1 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11預(yù)量產(chǎn)版修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
訂購(gòu)信息
7.4.1.2.2 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器短路保護(hù)
短路保護(hù)功能使用 OUTx 節(jié)點(diǎn)上的 2V 比較器來(lái)監(jiān)測(cè)每個(gè)高側(cè)輸出 (OUT7-12)。在消隱時(shí)間后，如果 OUTx 電壓超過(guò) 2V 短路閾值的時(shí)間達(dá)到抗尖峰脈沖時(shí)間，則會(huì)檢測(cè)到接地短路故障并禁用輸出。
對(duì)于所有高側(cè)驅(qū)動(dòng)器輸出，2V 比較器消隱時(shí)間 (tSC_BLK) 為 40μs。消隱時(shí)間從啟用 OUTx 后開(kāi)始。OUT7 具有專用的抗尖峰脈沖時(shí)間設(shè)置，可通過(guò) HS_REG_CNFG1 寄存器中的 OUT7_ITRIP_DG 進(jìn)行配置。對(duì)于 OUT8-12，抗尖峰脈沖時(shí)間設(shè)置為共享模式，可通過(guò) HS_REG_CNFG3 寄存器中的 HS_OUT_ITRIP_DG 位進(jìn)行配置。對(duì)于 VPVDD < 20V 的情況，所有抗尖峰脈沖選項(xiàng)（24、32、40 和 48μs）均可用。當(dāng) VPVDD > 20V 時(shí)，抗尖峰脈沖時(shí)間自動(dòng)減少到 10μs。
檢測(cè)到短路時(shí)，HS_STAT 寄存器中相應(yīng)的 OUTx_OCP 故障狀態(tài)位會(huì)被鎖存，并且相應(yīng)的輸出關(guān)斷。該故障位保持置位狀態(tài)，直到 CLR_FLT 位被置位。下圖顯示了高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的短路行為：
圖 7-4 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器短路保護(hù)