ZHCSZ01 August 2025 DRV8002-Q1
PRODUCTION DATA
PDR 后充電/放電后控制環(huán)路通過在 MOSFET 開關(guān)區(qū)域之后增加驅(qū)動器柵極電流來運(yùn)行。這通過測量開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓 (VSHx)、然后在超過適當(dāng)閾值后增加?xùn)艠O電流來實(shí)現(xiàn)??刂骗h(huán)路可以使用器件的默認(rèn)配置設(shè)置運(yùn)行,但它提供了充分的靈活性來配置時序參數(shù)、控制器強(qiáng)度及其他設(shè)置。