ZHCSZ01 August 2025 DRV8002-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 外部組件
- 7.4
特性說(shuō)明
- 7.4.1 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.2 半橋驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.3
柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.3.1 輸入 PWM 模式
- 7.4.3.2
智能柵極驅(qū)動(dòng)器 - 功能方框圖
- 7.4.3.2.1 智能柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.4.3.2.2 功能方框圖
- 7.4.3.2.3 壓擺率控制 (IDRIVE)
- 7.4.3.2.4 柵極驅(qū)動(dòng)器狀態(tài)機(jī) (TDRIVE)
- 7.4.3.2.5 傳播延遲降低 (PDR)
- 7.4.3.2.6 PDR 預(yù)充電/預(yù)放電控制環(huán)路運(yùn)行詳細(xì)信息
- 7.4.3.2.7 PDR 后充電/后放電控制環(huán)路運(yùn)行詳細(xì)信息
- 7.4.3.2.8 檢測(cè)驅(qū)動(dòng)和續(xù)流 MOSFET
- 7.4.3.2.9 自動(dòng)占空比補(bǔ)償 (DCC)
- 7.4.3.2.10 閉環(huán)壓擺時(shí)間控制 (STC)
- 7.4.3.3 三倍器（雙極）電荷泵
- 7.4.3.4 寬共模差分電流分流放大器
- 7.4.3.5 柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路
- 7.4.4 檢測(cè)輸出 (IPROPI)
- 7.4.5 保護(hù)電路
- 7.5 編程
- 8 DRV8002-Q1 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11預(yù)量產(chǎn)版修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
訂購(gòu)信息
7.4.3.2.5 傳播延遲降低 (PDR)
傳播延遲降低 (PDR) 控制有兩個(gè)主要功能，即預(yù)充電傳播延遲降低功能和后充電加速功能。
傳播延遲降低 (PDR) 的主要目標(biāo)是通過(guò)在 MOSFET QGD 米勒區(qū)域之前使用動(dòng)態(tài)預(yù)充電和預(yù)放電電流來(lái)降低外部 MOSFET 的導(dǎo)通和關(guān)斷延遲。這可以使驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)更高和更低的占空比分辨率，同時(shí)仍滿足復(fù)雜的 EMI 要求。
后充電加速功能使 MOSFET 能夠更快地達(dá)到低電阻或關(guān)斷狀態(tài)，從而通過(guò)在 MOSFET QGD 米勒區(qū)域之后增加后充電和放電后柵極電流來(lái)更大限度地降低功率損耗。
PDR 充電曲線中顯示了 MOSFET 預(yù)充電和后充電電流曲線的示例。如 PDR 放電曲線中所示，對(duì) MOSFET 預(yù)放電和后放電重復(fù)相同的控制環(huán)路。節(jié) 7.4.3.2.8 中顯示了不同 PWM 和電機(jī)情況下完整控制環(huán)路的幾個(gè)示例。
圖 7-19 PDR 充電曲線
圖 7-20 PDR 放電曲線