ZHCSZ01 August 2025 DRV8002-Q1
PRODUCTION DATA
該器件集成了兩個(gè)高側(cè)和低側(cè)外部 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)全 H 橋或兩個(gè)半橋負(fù)載。還有一個(gè)集成式電流分流放大器,它支持高側(cè)、低側(cè)和直列式電流檢測。