ZHCSZ01 August 2025 DRV8002-Q1
PRODUCTION DATA
柵極驅(qū)動電流強(qiáng)度 IDRIVE 的選擇依據(jù)包括：外部 MOSFET 的柵漏電荷，以及開關(guān)節(jié)點(diǎn)的目標(biāo)上升和下降時間。對于給定的 MOSFET，如果選擇的 IDRIVE 過低，則 MOSFET 可能無法在配置的 tDRIVE 時間內(nèi)完全導(dǎo)通或關(guān)斷，并且可以斷定出現(xiàn)柵極故障。此外，較長的上升和下降時間會導(dǎo)致外部功率 MOSFET 中出現(xiàn)更高的開關(guān)功率損耗。TI 建議使用所需的外部 MOSFET 和負(fù)載在系統(tǒng)中驗(yàn)證這些值，以確定設(shè)計的設(shè)置。
高側(cè)和低側(cè)外部 MOSFET 的 IDRIVEP 和 IDRIVEN 均可在寄存器 GD_IDRV_CNFG 中配置。
對于具有已知柵漏電荷 QGD、所需上升時間 (trise) 和所需下降時間 (tfall) 的 MOSFET，可使用方程式 4 和方程式 5 分別計算 IDRIVEP 和 IDRIVEN 的近似值。
以輸入設(shè)計參數(shù)為例，我們可以計算 IDRIVEP 和 IDRIVEN 的近似值。
根據(jù)這些計算結(jié)果，為 IDRIVEP 選擇了值 6 mA。
根據(jù)這些計算結(jié)果，為 IDRIVEN 選擇了值 16mA。