如果 VDS 過流比較器上的電壓高于 VDS_LVL 的時(shí)間超過 tDS_DG 時(shí)間，則會(huì)檢測(cè)到 VDS 過流條件。電壓閾值和抗尖峰脈沖時(shí)間可通過 VDS_xx_LVL 和 VDS_DG 寄存器設(shè)置進(jìn)行調(diào)整。
VDS 過流監(jiān)測(cè)器可以在通過 VDS_MODE 寄存器設(shè)置進(jìn)行設(shè)定的四種不同模式下進(jìn)行響應(yīng)和恢復(fù)。
- 鎖存故障模式：檢測(cè)到過流事件后，將啟用柵極驅(qū)動(dòng)器下拉電阻，并且 FAULT 寄存器位和相關(guān)的 VDS 寄存器位會(huì)被置位。過流事件消失后，仍會(huì)鎖存故障狀態(tài)，直到發(fā)出 CLR_FLT。
- 逐周期模式：檢測(cè)到過流事件后，將啟用柵極驅(qū)動(dòng)器下拉電阻，并且 FAULT 寄存器位和相關(guān)的 VDS_XX 寄存器位會(huì)被置位。下一個(gè) PWM 輸入會(huì)清除 FAULT 寄存器位，并自動(dòng)重新啟用驅(qū)動(dòng)器。相關(guān)的 VDS_XX 寄存器位會(huì)保持置位狀態(tài)，直到發(fā)出 CLR_FLT。
- 僅警告報(bào)告模式：在 WARN 和相關(guān) VDS_XX 寄存器位中報(bào)告過流事件。器件不會(huì)執(zhí)行任何操作。在發(fā)出 CLR_FLT 之前，警告將保持鎖存狀態(tài)。
- 禁用模式：VDS 過流監(jiān)控器被禁用，不會(huì)響應(yīng)或報(bào)告。
當(dāng)發(fā)生 VDS 過流故障時(shí)，可配置柵極下拉電流，以便增加或減少禁用外部 MOSFET 的時(shí)間。這有助于避免在大電流短路條件下關(guān)斷速度過慢的問題。此設(shè)置通過 VDS_IDRVN 寄存器設(shè)置進(jìn)行配置。