ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
表 7-1 列出了推薦用于此器件的外部元件。請參閱 節(jié) 9.2 有關(guān)元件放置的示例。
| 元件 | 引腳 1 | 引腳 2 | 推薦 |
|---|---|---|---|
| CPVDD1 | PVDD | GND | 0.1μF、低 ESR 陶瓷電容器、額定電壓為 PVDD。 |
| CPVDD2 | PVDD | GND | 大于或等于 10μF、額定電壓為 PVDD 的局部大容量電容器。 |
| CDVDD | DVDD | GND | 1μF、6.3V、低 ESR 陶瓷電容器 |
| CVCP | VCP | PVDD | 1μF、16V、低 ESR 陶瓷電容器 |
| CFLY1 | CP1H | CP1L | 0.1μF、100V、低 ESR 陶瓷電容器 |
| CFLY2 | CP2H | CP2L | 0.1μF、100V、低 ESR 陶瓷電容器 |
| RIPROPI | IPROPI | GND | 通常為高達 2.35kΩ 0.063W 電阻器，容差為 1%，具體取決于控制器電源電壓軌。 |
| RFILT | RIPROPI | CFILT | RC 濾波器的可選電阻器部分，具體取決于控制器輸入。 |
| CFILT | RFILT | GND | RC 濾波器的可選低 ESR 陶瓷電容器部分，具體取決于控制器輸入。 |
| RECDRV | ECDRV | GND | 通常在 ECDRV 引腳和外部 MOSFET 的柵極之間串聯(lián) 220Ω 電阻，以穩(wěn)定控制環(huán)路（僅出于 ESD 目的）。 RECDRV 在 CECDRV 之后靠近外部 MOSFET 的柵極放置。 |
| CECDRV | ECDRV | GND | 4.7nF、低 ESR 陶瓷電容器。CECDRV 放置在串聯(lián)電阻 RECDRV 的 ECDRV 引腳側(cè)。 注： 該電容器的額定電壓基于 ECFB 的電池短路假設(shè)。 |
| CECFB | ECFB | GND | 220nF、低 ESR 陶瓷電容器 注： 該電容器的額定電壓基于 ECFB 的電池短路假設(shè)。 |
| CSO1 | SO | GND | 100nF、16V、低 ESR 陶瓷電容器。 分流放大器輸出濾波器的一部分。 |
| CSO2 | SO | GND | 0.01μF、16V、低 ESR 陶瓷電容器。 分流放大器輸出濾波器的一部分。 |
| RSO | CSO1 | CSO2 | 通常為 0Ω，分流放大器輸出濾波器的一部分。 |
| RGH_HS | GH_SH | MOSFET 柵極 | 可選 0Ω，可用于加熱器壓擺率控制。 |
| RSH_HS | SH_SH | MOSFET 源極 | 可選 0Ω，可用于加熱器對電池短路假設(shè)。 注： 在電感短路情況下，建議使用具有適當額定電流的外部二極管。 |