ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 外部組件
- 7.4
特性說明
- 7.4.1 加熱器 MOSFET 驅(qū)動器
- 7.4.2 高側(cè)驅(qū)動器
- 7.4.3 電致變色玻璃驅(qū)動器
- 7.4.4 半橋驅(qū)動器
- 7.4.5
柵極驅(qū)動器
- 7.4.5.1 輸入 PWM 模式
- 7.4.5.2 智能柵極驅(qū)動器 - 功能方框圖
- 7.4.5.3 三倍器（雙極）電荷泵
- 7.4.5.4 寬共模差分電流分流放大器
- 7.4.5.5 柵極驅(qū)動器保護電路
- 7.4.6 檢測輸出 (IPROPI)
- 7.4.7 保護電路
- 7.5 編程
- 8 DRV8000-Q1 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11預(yù)量產(chǎn)版修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGZ|48
訂購信息
7.4.5.2.8 檢測驅(qū)動和續(xù)流 MOSFET
默認情況下，PDR 環(huán)路通過確定流出半橋的電流極性，自動檢測哪個 MOSFET 是驅(qū)動 MOSFET、哪個 MOSFET 是續(xù)流 MOSFET。這通過測量死區(qū)時間期間的半橋 VSHx 電壓來實現(xiàn)，從而確定高側(cè)還是低側(cè)體二極管導通。如果無法確定電流極性，則會在 GD_STAT 寄存器中標記 IDIR_WARN。自動續(xù)流檢測可以通過寄存器 GD_AGD_CNFG 中的 IDIR_MAN 位禁用。在手動續(xù)流模式下，PDR 環(huán)路依靠寄存器 GD_STC_CNFG 中的 IDIR_MAN_SEL 位來確定哪個 MOSFET 是驅(qū)動 MOSFET、哪個 MOSFET 是續(xù)流 MOSFET。如果 = 0b，則高側(cè) MOSFET 是驅(qū)動 MOSFET，低側(cè) MOSFET 是續(xù)流 MOSFET。如果 = 1b、則低側(cè) MOSFET 是驅(qū)動 MOSFET，高側(cè) MOSFET 是續(xù)流 MOSFET。
HS 驅(qū)動 PWM 導通/關(guān)斷示例 顯示了控制 VSHx 開關(guān)節(jié)點電壓轉(zhuǎn)換的高側(cè) MOSFET (HS1) 和充當續(xù)流 MOSFET 的低側(cè) MOSFET (LS1)。
圖 7-26 HS 驅(qū)動 PWM 導通/關(guān)斷示例LS 驅(qū)動 PWM 導通/關(guān)斷示例 顯示了控制 VSHx 開關(guān)節(jié)點電壓轉(zhuǎn)換的低側(cè) MOSFET (LS2) 和充當續(xù)流 MOSFET 的高側(cè) MOSFET (HS2)。
圖 7-27 LS 驅(qū)動 PWM 導通/關(guān)斷示例