ZHCSN95A August 2022 – December 2022 DRV8452
PRODUCTION DATA
圖 7-13 慢速衰減模式在慢速衰減期間,H 橋的兩個(gè)低側(cè) FET 均處于開啟狀態(tài),以便實(shí)現(xiàn)電流再循環(huán)。以下是選擇慢速衰減模式時(shí)需要考慮的要點(diǎn):
在給定的 tOFF 下,慢速衰減是電流紋波最低的衰減模式。
但是,在電流步進(jìn)下降時(shí),慢速衰減需要很長的時(shí)間才能穩(wěn)定至新的 ITRIP 電平,因?yàn)榇藭r(shí)的電流下降速度非常慢。
如果關(guān)斷時(shí)間結(jié)束時(shí)的電流高于 ITRIP 電平,則慢速衰減將延長另一個(gè)關(guān)斷時(shí)間,依此類推,直到關(guān)斷時(shí)間結(jié)束時(shí)的電流低于 ITRIP 電平為止。
如果電流保持在相同電平很長時(shí)間(STEP 無輸入)、目標(biāo)調(diào)節(jié)電流電平較低,或在極低的步進(jìn)速度下,慢速衰減可能無法正確調(diào)節(jié)電流,因?yàn)殡姍C(jī)繞組上的反電動(dòng)勢可能非常小,無法在關(guān)斷期間對(duì)電流進(jìn)行放電。在這種狀態(tài)下,電機(jī)電流上升速度會(huì)非??欤赡苄枰獦O長的關(guān)斷時(shí)間。在某些情況下,這可能會(huì)導(dǎo)致電流調(diào)節(jié)損耗,因此建議采用更快速的衰減模式。