ZHCSML6B February 2020 – August 2021 DRV8220
PRODUCTION DATA
即使發(fā)生了硬短路事件，每個(gè) MOSFET 上的模擬電流限制電路也會限制器件輸出的峰值電流。如果輸出電流超過過流閾值 IOCP 且持續(xù)時(shí)間超過過流抗尖峰時(shí)間 tOCP，則會禁用 H 橋中的所有 MOSFET。在 tRETRY 之后，MOSFET 會根據(jù) PH/IN1 和 EN/IN2 引腳的狀態(tài)重新啟用。如果過流條件仍然存在，則會重復(fù)此周期，否則器件將恢復(fù)正常運(yùn)行。
在半橋控制模式下，OCP 行為略有改動(dòng)。如果檢測到過流事件，將只禁用相應(yīng)的半橋。另一個(gè)半橋會繼續(xù)正常運(yùn)行。這樣，器件就可以在驅(qū)動(dòng)獨(dú)立的負(fù)載時(shí)管理獨(dú)立的故障事件。如果在兩個(gè)半橋中都檢測到過流事件，將同時(shí)禁用兩個(gè)半橋。兩個(gè)半橋共用同一個(gè)過流重試計(jì)時(shí)器。如果在 OUT1 中首先發(fā)生過流事件，則該輸出將在 tRETRY 期間內(nèi)禁用。如果 OUT2 在 OUT1 之后但在 tRETRY 到期之前發(fā)生過流事件，則兩個(gè) OUTx 引腳將在 tRETRY 的整個(gè)持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持禁用狀態(tài)。