由于 DRV8220 器件集成了能夠驅(qū)動大電流的功率 MOSFET，因此，應特別注意布局設計和外部元件放置。下面提供了一些設計和布局指南。有關布局建議的更多信息，請參閱應用手冊電機驅(qū)動器電路板布局最佳實踐。
- 低 ESR 陶瓷電容器應用于 VM-to-GND旁路電容器。建議使用 X5R 和 X7R 類型的電容器。
- VM 電源電容器應盡可能靠近器件放置，以最大限度減少回路電感。
- VM 電源大容量電容器可以是陶瓷電容器或電解電容器，但也應盡可能靠近器件放置，以最大限度減小回路電感。
- VM、OUT1、OUT2 和 GND 承載著從電源傳輸?shù)捷敵觯缓笾匦聜骰氐浇拥氐母唠娏?。對于這些跡線，應使用厚金屬布線（如果可行）。
- GND 應直接連接到 PCB 接地平面上。
- 應通過熱過孔將器件散熱焊盤連接到 PCB 頂層接地平面和內(nèi)部接地平面（如果可用），以獲得最強的 PCB 散熱能力。
- 應盡可能擴大連接到散熱焊盤的銅平面面積，以確保獲得最佳散熱效果。