ZHCSML6B February 2020 – August 2021 DRV8220
PRODUCTION DATA
如果內(nèi)核溫度超過(guò)過(guò)熱限值 TTSD,將會(huì)禁用 H 橋中的所有 MOSFET。當(dāng)過(guò)熱條件消失且裸片溫度降至 VTSD 閾值以下時(shí),將恢復(fù)正常運(yùn)行。