ZHCSY02 March 2025 DRV8001-Q1
ADVANCE INFORMATION
使用低 ESR 陶瓷旁路電容器 CPVDD1 將 PVDD 引腳旁路至 GND 引腳。將該電容器放置在盡可能靠近 PVDD 引腳的位置，并通過較寬的引線或通過接地平面連接到 GND 引腳。此外，使用額定電壓為 PVDD 的大容量電容器 CPVDD2 旁路 PVDD 引腳。該元件可以是電解電容器。其容值必須至少為 10μF。如果該電容與外部功率 MOSFET 的大容量電容共享，也是可接受的。
需要額外的大容量電容來旁路掉 H 橋驅(qū)動器外部功率 MOSFET 上的大電流路徑。放置此大容量電容時應做到盡可能縮短通過外部 MOSFET 的大電流路徑的長度。連接金屬走線盡可能寬，并具有許多連接 PCB 層的過孔。這些做法可更大限度地減少電感并允許大容量電容器提供大電流。
對于 H 橋驅(qū)動器外部 MOSFET，請使用具有適當額定電壓的低 ESR 陶瓷旁路電容器將漏極引腳旁路至 GND 平面。將該電容器放置在盡可能靠近 MOSFET 漏極和源極引腳的位置，并通過粗走線或通過平面連接與 GND 平面相連。將串聯(lián)柵極電阻器盡可能靠近 MOSFET 柵極引腳放置。
使用 CDVDD 將 DVDD 引腳旁路至 DGND 引腳。將此電容器盡可能靠近引腳放置，并盡量縮短從電容器到 DGND 引腳的路徑。如果這些電源上已經(jīng)存在靠近器件的本地旁路電容器以更大限度地減少噪聲，則無需為 DVDD 使用這些額外元件。
對于 EC 驅(qū)動器，將 CECDRV 和 CECFB 旁路電容器盡可能靠近各自的引腳放置，并連接到 GND。
盡可能地縮短高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器的回路長度。高側(cè)環(huán)路是從器件的 GHx 引腳到高側(cè)功率 MOSFET 柵極，然后沿著高側(cè) MOSFET 源極返回到 SHx 引腳。低側(cè)環(huán)路是從器件的 GLx 引腳到低側(cè)功率 MOSFET 柵極，然后沿著低側(cè) MOSFET 源極返回到 SL 引腳。