電致變色驅(qū)動器模塊具有多個針對充電和放電狀態(tài)的保護和檢測電路。這些電路包括基于比較器的檢測電路、在 EC 充電狀態(tài)期間激活的 OUT11 保護電路（當采用 OUT11 供電配置時）以及 ECFB 低側(cè)放電 MOSFET 上的保護電路。

EC 由 OUT11 供電：當電子鉻驅(qū)動器配置為由集成式高側(cè)驅(qū)動器 OUT11 供電時，可提供與其他高側(cè)驅(qū)動器相同的保護和診斷功能（例如：在過流檢測期間，控制環(huán)路會關(guān)閉）。當電子鉻處于充電狀態(tài)（電壓斜升）時，這些高側(cè)驅(qū)動器保護被激活。當處于 OUT11 EC 模式 (OUT11_EC_MODE = 1b) 時，無法在 PWM 模式下控制 OUT11。

EC 充電期間 OUT11 上發(fā)生故障：如果在 EC_ON = 1b（使能 EC 控制）時 OUT11 上發(fā)生過熱關(guān)斷故障（區(qū)域 3 或 4）或過流故障：

• OUT11 關(guān)斷（狀態(tài)寄存器組）
• DAC 復位（EC_V_TAR 置為“00000”）
• ECDRV 引腳被拉至接地
• EC_ON 保持為“1”
• ECFB_LS_EN 保持為編程設置的狀態(tài)

要在 OUT11 故障后重啟 EC 控制，控制器必須讀取并清除相應的故障，并將所需的值寫入寄存器 HS_EC_HEAT_CTRL 中的 EC_V_TAR 位。

如果在 EC 充電期間檢測到 OUT11 上存在開路負載，則寄存器 HS_STAT 中的 OUT11_OLA 位置位。

放電過流保護：如果放電期間流入 ECFB 引腳 LS MOSFET 的負載電流超過過流閾值 I_{OC_ECFB} 的持續(xù)時間長于 t_{DG_OC_ECFB}，則 LS MOSFET 為 Hi-Z（鎖存）或根據(jù) OUT7 ITRIP 設置進入固定頻率調(diào)節(jié)模式。過流狀態(tài)位 ECFB_OC 置位，且 EC_HEAT 置位。過流故障響應可通過寄存器 EC_CNFG 中的 EC_FLT_MODE 位進行配置。ITRIP 設置與 OUT7 ITRIP 設置共享。

檢測到放電開路負載：在對 EC 放電時，還可以檢測到開路負載。寄存器 EC_CNFG 中的 EC_OLEN 位必須置位。如果 ECFB 上的負載電流低于 I_{OL_ECFB_LS} 的持續(xù)時間超過 t_{DG_OL_ECFB_LS}，則開路負載狀態(tài)位 ECFB_OL 會置位，且寄存器 IC_STAT1 中的 WARN 位會置位。

對于 EC 直接由 PVDD 供電的配置，當 EC 調(diào)節(jié)激活時，可使用三個基于比較器的檢測電路來代替 OUT11 保護和檢測電路。其中包括：

• ECFB 上的電池短路檢測（過壓）
• ECFB 上的接地短路檢測（欠壓）
• ECFB 上的開路負載檢測

EC 直接由 PVDD 供電：當 EC 模塊直接由 PVDD 供電時，可通過寄存器 EC_CNFG 中的 ECFB_OV_MODE、 ECFB_UV_MODE 和 ECDRV_OL_EN 位獨立使能電池短路、接地短路和開路負載檢測電路。如果需要額外的診斷，無論 EC 電源配置如何，都可以使能這些檢測電路。但是，如果不需要這些電路，TI 建議禁用寄存器中的電路。

電池短路/OV 檢測：當 ECFB 電壓超過 PVDD - 1V 或閾值 V_{ECFB_OV} 的持續(xù)時間長于抗尖峰脈沖時間 t_{ECFB_OV_DG} 時，檢測到 ECFB 過壓或電池短路。ECFB_OV_MODE 位決定了驅(qū)動器 ECFB 過壓故障響應。EC 過壓抗尖峰脈沖時間通過寄存器 EC_CNFG 中的 ECFB_OV_DG 位進行配置。

對于過壓故障響應控制，可在寄存器 EC_CNFG 中配置 ECFB_OV_MODE 位。如果 ECFB_OV_MODE = 00b，則在該故障期間不會執(zhí)行任何操作。對于 ECFB_OV_MODE = 10b，當 ECFB 電壓超過 ECFB_OV 的時間長于編程的抗尖峰脈沖時間 t_{ECFB_OV_DG} 時、則 EC_HEAT_ITRIP_STAT 寄存器中 ECFB_OV 位會置位，且寄存器 IC_STAT1 中的 EC_HEAT 故障位會置位。對于 ECFB_OV_MODE = 10b，當 ECFB 上發(fā)生 OV 時，ECDRV 引腳會被下拉，并且 ECFB LS FET 為 Hi-Z。故障在與 ECFB_OV_MODE = 01b 時相同的寄存器中報告。下表匯總了故障響應和位值：

接地短路/UV 檢測：當檢測到 ECFB 電壓低于編程的閾值 V_{ECFB_UV_TH} 的持續(xù)時間超過編程的抗尖峰脈沖時間 t_{ECFB_UV_DG} 時，會檢測到 ECFB 欠壓或?qū)Φ囟搪贰＜拇嫫?EC_CNFG 中的 ECFB_UV_TH 和 ECFB_UV_DG 位置位。

對于欠壓故障響應控制，可以在寄存器 EC_CNFG 中配置 ECFB_UV_MODE 位。如果 ECFB_UV_MODE = 00b，則當 ECFB 電壓降至低于 ECFB_UV 時不會執(zhí)行任何操作。對于 ECFB_UV_MODE = 10b，則 EC_HEAT_ITRIP_STAT 寄存器中的 ECFB_UV 位會置位，且 IC_STAT1 寄存器中的 EC_HEAT 故障位會置位。對于 ECFB_UV_MODE = 10b，當 ECFB 上發(fā)生 UV 時，ECDRV 引腳會被下拉，并且 ECFB LS FET 為 Hi-Z。故障在與 ECFB_UV_MODE = 01b 時相同的寄存器中報告。下表匯總了故障響應和位值：

PVDD 供電的 EC 開路負載檢測：如果 EC 模塊未配置為使用 OUT11 供電，則可以使用寄存器 EC_CNFG 中的 ECDRV_OL_EN 位使能單獨的 EC 開路負載檢測電路。使能后，電流源會將小電流注入 ECFB 節(jié)點，然后 ECFB 電壓將與開路負載閾值電壓進行比較。如果超過開路負載閾值，則會檢測到開路負載條件，且 ECFB_OL 位會置位。下面的真值表顯示了開路負載和電池短路檢測狀態(tài)的可能值：