ZHCSY02 March 2025 DRV8001-Q1
ADVANCE INFORMATION
表 7-1 列出了推薦用于此器件的外部元件。
| 元件 | 引腳 1 | 引腳 2 | 推薦 |
|---|---|---|---|
| CPVDD1 | PVDD | GND | 0.1μF、低 ESR 陶瓷電容器、額定電壓為 PVDD。 |
| CPVDD2 | PVDD | GND | 大于或等于 10μF、額定電壓為 PVDD 的局部大容量電容器。 |
| CDVDD | DVDD | GND | 1μF、6.3V、低 ESR 陶瓷電容器 |
| CVCP | VCP | PVDD | 1μF、16V、低 ESR 陶瓷電容器 |
| RIPROPI | IPROPI | GND | 通常 1000 - 1800Ω 0.063W 電阻連接至 GND，具體取決于控制器電源電壓軌。 |
| CIPROPI | IPROPI | 4.7nF、6.3V、低 ESR 陶瓷電容器。 | |
| RECDRV | ECDRV | GND | 通常在 ECDRV 引腳和外部 MOSFET 的柵極之間串聯(lián) 220Ω 電阻，以穩(wěn)定控制環(huán)路 |
| CECDRV | ECDRV | GND | 4.7nF、低 ESR 陶瓷電容器 注： 該電容器的額定電壓基于 ECFB 的電池短路假設(shè)。 |
| CECFB | ECFB | GND | 220nF、低 ESR 陶瓷電容器 注： 該電容器的額定電壓基于 ECFB 的電池短路假設(shè)。 |