ZHCSY02 March 2025 DRV8001-Q1
ADVANCE INFORMATION
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 DRV8001-Q1 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
7.4.4.3.3 半橋過流保護(hù)
當(dāng)半橋處于激活狀態(tài)時，每個 MOSFET 上的模擬電流保護(hù)電路會在硬短路事件期間關(guān)斷 MOSFET。如果輸出電流超過過流閾值 IOCP_OUTX 且持續(xù)時間超過 tDG_OCP_HB，則會檢測到過流故障。相應(yīng)的輸出為 Hi-Z（鎖存行為），故障被鎖存到寄存器 (HB_STAT1) 中。
對于半橋驅(qū)動器的過流抗尖峰脈沖時間 tDG_OCP_HB，下表匯總了四個過流抗尖峰脈沖選項。
表 7-36 半橋過流抗尖峰脈沖
| 抗尖峰脈沖時間 | OUTX_OCP_DG | 電壓限值 |
|---|---|---|
| 6μs | 00b | 如果 VPVDD > 28V，則為強制選項 |
| 10μs | 01b | < 28V |
| 20μs | 10b | < 28V |
| 60μs | 11b | < 20V |
要重新激活驅(qū)動器，必須首先由 MCU 通過讀取狀態(tài)寄存器在寄存器中清除故障。下圖顯示了半橋的過流行為：
圖 7-16 半橋的過流行為